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公开(公告)号：CN111199129A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911031403.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , H01L27/02
Abstract: 一种修改集成电路布局的方法，其特征在于，包括以下操作：识别电路布局的反转信号网；决定到反转信号网的传导线何时具有寄生电容；及决定如何调整集成电路布局以减小到反转信号网的传导线的寄生电容。此方法进一步包括以下操作：决定是否移动集成电路布局中的传导线的一者的操作；及决定是否在具有寄生电容的反转信号网的传导线之间插入隔离结构。
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公开(公告)号：CN102760180B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210125532.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0207 , G06F17/5068 , H01L21/823821
Abstract: 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并生成对应的FinFET结构。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。
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公开(公告)号：CN112086453B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010541797.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种多路复用器电路包括各自在X轴方向上延伸的第一鳍和第二鳍。第一、第二、第三和第四栅极在垂直于X轴方向的Y轴方向上延伸并且接触第一鳍和第二鳍。第一、第二、第三和第四栅极配置为分别接收第一、第二、第三和第四数据信号。第五、第六、第七和第八栅极在Y轴方向上延伸并且接触第一鳍和第二鳍、第五、第六、第七和第八栅极，并且配置为分别接收第一、第二、第三和第四选择信号。输入逻辑电路配置为在中间节点处提供输出。第九栅极在Y轴方向上延伸并且接触第一鳍和第二鳍。输出逻辑电路配置为在输出端子处提供第一、第二、第三和第四数据信号中所选择的一个。本发明的实施例还涉及形成多路复用器的方法。
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公开(公告)号：CN102880733B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201210084821.9
申请日：2012-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 描述了由展平的布局进行层次重建的系统和方法。在一个实施例中，由原始布局和修订布局生成集成电路设计的重建布局的方法包括：对原始布局的每个图案：确定对应于原始布局的图案的修订布局的图案；以及将修订布局的对应图案分配到临时实例，该临时实例对应于原始布局的图案的实例，并且该临时实例引用到临时单元。该方法进一步包括：由临时实例建立临时重建布局；以及由临时重建布局生成重建布局，其中，重建布局的层次与原始布局的层次相似。本发明还提供了一种由展平的图形数据库系统布局进行层次重建的系统和方法。
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公开(公告)号：CN102779201B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210125531.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5068 , H01L21/823821 , H01L27/0207
Abstract: 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后，优化生成的FinFET结构。可以在验证和输出FinFET布局之前生成伪图案和新金属层。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779201A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210125531.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5068 , H01L21/823821 , H01L27/0207
Abstract: 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后，优化生成的FinFET结构。可以在验证和输出FinFET布局之前生成伪图案和新金属层。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。
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公开(公告)号：CN112086453A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010541797.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种多路复用器电路包括各自在X轴方向上延伸的第一鳍和第二鳍。第一、第二、第三和第四栅极在垂直于X轴方向的Y轴方向上延伸并且接触第一鳍和第二鳍。第一、第二、第三和第四栅极配置为分别接收第一、第二、第三和第四数据信号。第五、第六、第七和第八栅极在Y轴方向上延伸并且接触第一鳍和第二鳍、第五、第六、第七和第八栅极，并且配置为分别接收第一、第二、第三和第四选择信号。输入逻辑电路配置为在中间节点处提供输出。第九栅极在Y轴方向上延伸并且接触第一鳍和第二鳍。输出逻辑电路配置为在输出端子处提供第一、第二、第三和第四数据信号中所选择的一个。本发明的实施例还涉及形成多路复用器的方法。
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公开(公告)号：CN109585439A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810366740.5
申请日：2018-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例阐述一种标准单元中金属切口的优化方法。所述方法包括：将标准单元放置在布局区域中；以及沿所述标准单元的金属内连线在远离所述标准单元的边界的位置插入金属切口。所述方法还包括：基于所述金属切口，在所述位置将所述金属内连线的金属部分从所述金属内连线的其余部分断开。
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公开(公告)号：CN102760180A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125532.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0207 , G06F17/5068 , H01L21/823821
Abstract: 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并生成对应的FinFET结构。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。
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公开(公告)号：CN111199129B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201911031403.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , H01L27/02
Abstract: 一种修改集成电路布局的方法，其特征在于，包括以下操作：识别电路布局的反转信号网；决定到反转信号网的传导线何时具有寄生电容；及决定如何调整集成电路布局以减小到反转信号网的传导线的寄生电容。此方法进一步包括以下操作：决定是否移动集成电路布局中的传导线的一者的操作；及决定是否在具有寄生电容的反转信号网的传导线之间插入隔离结构。一种用于修改集成电路布局的元件及一种具有用于修改集成电路的多个指令的计算机可读媒体亦在此揭露。
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