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公开(公告)号：CN114792686A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110652726.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 本案描述的一些实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括一电容器元件，此电容器元件位于基板的凹入部分中。此凹入部分具有侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面。半导体结构包括设置在电容器元件下方且在凹入部分内的介电材料。半导体结构包括邻近凹入部分的侧壁中的一或多者的第一导电结构。第一导电结构可包括基板的导电部分或设置在凹入部分内的导电材料。半导体结构包括耦接至第一导电结构的第二导电结构，其中第二导电结构提供从第一导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。
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公开(公告)号：CN108933138A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201711205591.6
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 一种半导体元件包含基板。半导体元件进一步包含第一多晶硅结构于基板之上。第一多晶硅结构具有第一晶粒尺寸。半导体元件进一步包含第一阻障层于第一多晶硅结构之上。第一多晶硅结构中至少一晶界接触第一阻障层。半导体元件进一步包含第二多晶硅结构于第一阻障层之上。第二多晶硅结构具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN115513180A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210252087.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 一种晶粒堆叠及系统集成电路结构，晶粒堆叠包含：第一晶粒，包含第一半导体基板；第一重分布层(RDL)结构，设置在第一晶粒的前表面上且电连接至第一半导体基板；第二晶粒，接合至第一晶粒的前表面且包含第二半导体基板；第三晶粒，接合至第一晶粒的前表面且包含第三半导体基板；第二RDL结构，设置在第二晶粒及第三晶粒的前表面上且电连接至第二半导体基板及第三半导体基板；及介电穿孔(TDV)结构，在第二晶粒与第三晶粒之间延伸且电连接至第一RDL结构及第二RDL结构。第二晶粒及第三晶粒设置在垂直于晶粒堆叠的垂直堆叠方向延伸的平面中。
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公开(公告)号：CN114765153A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210014819.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 一种晶粒、半导体封装体与形成硅穿孔结构的方法，晶粒包含半导体基板、介电结构、互连结构、硅穿孔结构与硅穿孔阻障结构。半导体基板具有前侧与相对的背侧。介电结构可包含置于半导体基板的前侧上的基板氧化层与置于基板氧化层上的多个层间介电层。互连结构置于介电结构中。硅穿孔结构在垂直方向上从半导体基板的背侧延伸贯穿至半导体基板的前侧，使得硅穿孔结构的第一端部置于介电结构中。硅穿孔阻障结构可包含接触硅穿孔结构的第一端部的阻障线与第一密封环，第一密封环置于基板氧化层中并在横向上环绕硅穿孔结构，横向与垂直方向垂直。
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公开(公告)号：CN115528008A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210323955.5
申请日：2022-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种三维装置结构，包括晶粒，该晶粒包括半导体基板、设置在半导体基板上的互连结构、延伸穿过半导体基板且电接触互连结构的金属特征的硅穿孔结构及嵌入半导体基板中且电性连接至硅穿孔结构的集成被动元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115527987A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210580440.3
申请日：2022-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 一种晶粒与三维元件结构，晶粒包括半导体基板、互连结构以及第一硅通孔结构。互连结构设置于半导体基板上且包括金属间介电层、嵌入于金属间介电层中的金属特征与第一保护环结构。第一保护环结构包括延伸通过金属间介电层的至少一子集的同心的第一与第二保护环。第一硅通孔结构延伸通过半导体基板与金属间介电层的子集，以电性接触金属特征的其中一个。第一保护环围绕第一硅通孔结构。第二保护环围绕第一保护环，第二保护环配置用以降低第一保护环结构与第一硅通孔结构之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN115524786A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210173820.5
申请日：2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法，光子装置包括一硅层，其中该硅层自该光子装置的一波导区延伸至该光子装置的一装置区，且该硅层包括该波导区中的一波导部分。该光子装置进一步包括一包覆层，该包覆层位于该波导部分上方，其中该装置区没有该包覆层。该光子装置进一步包括一低折射率层，该低折射率层与该包覆层直接接触，其中该低折射率层包含氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化铝或氧化铪。该光子装置进一步包括一互连结构，该互连结构位于该低折射率层上方。
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公开(公告)号：CN115508952A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210524495.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种耦合系统、晶片以及晶片的制造方法，耦合系统包括一光纤，光纤用以载运一光学信号。耦合系统进一步包括一晶片，晶片与光纤光学通信。晶片包括一基材。晶片进一步包括一光栅，光栅在基材的一第一侧上，其中光栅用以接收光学信号。晶片进一步包括一互连结构，互连结构处于在基材的第一侧上的光栅上方，其中互连结构界定与光栅对准的一空腔。晶片进一步包括一第一多晶硅层，第一多晶硅层在基材的一第二侧上，其中基材的第二侧与基材的第一侧对置。
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公开(公告)号：CN118841367A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410126171.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 提供了半导体结构及制造方法。方法包含在半导体结构上形成第一介电层。半导体结构包含基板及基板上的多层内连结构。多层内连结构包含多个金属化层。第一介电层形成于最顶部金属化层上。方法进一步包含形成基板穿孔开口，基板穿孔开口穿过第一介电层及多个金属化层垂直延伸至基板中；在基板穿孔开口中形成基板穿孔；进行第一平坦化工艺以使基板穿孔平坦化；在第一平坦化工艺之后，在第一介电层中形成多个第一金属通孔及多条第一金属线；分别在多条第一金属线上形成多个第一金属覆盖层；及进行第二平坦化工艺以使第一金属覆盖层平坦化。
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公开(公告)号：CN115528171A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210113804.7
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 一种深沟槽电容器、接合组合件及形成半导体结构的方法，深沟槽电容器包括至少一个深沟槽及一层堆叠，该层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层且在一基板的顶表面上方连续地延伸且进入该至少一个深沟槽中的每一者中。一接触级介电层覆盖该基板及该层堆叠。接触组合件延伸穿过该接触级介电层。该些接触组合件的一子集垂直地延伸穿过一相应的金属电极层。举例而言，一第一接触组合件包括一第一管状绝缘间隔物，该第一管状绝缘间隔物横向地围绕一第一接触通孔结构且接触一最上金属电极层的一圆柱形侧壁。
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