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1.

发明公开
半导体元件无效

公开(公告)号：CN108933138A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201711205591.6

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李建璋 , 蔡濬泽 , 杭孟琦

IPC: H01L27/11

Abstract: 一种半导体元件包含基板。半导体元件进一步包含第一多晶硅结构于基板之上。第一多晶硅结构具有第一晶粒尺寸。半导体元件进一步包含第一阻障层于第一多晶硅结构之上。第一多晶硅结构中至少一晶界接触第一阻障层。半导体元件进一步包含第二多晶硅结构于第一阻障层之上。第二多晶硅结构具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

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