公开(公告)号：CN115528005A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210262210.2

申请日：2022-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄振浩 ,  卢皓彦 ,  许隨贏 ,  李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  赖佳平

IPC: H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  G02B6/12 ,  G02B6/136

Abstract: 一种光学集成电路结构及其形成方法，光学集成电路(IC)结构包括：基板，包括形成于基板上表面中且自基板的边缘延伸的光纤槽，及形成于上表面且自光纤槽延伸的底切；设置于基板上的半导体层；设置于半导体层上的介电结构；设置于介电结构中的互连结构；多个通风孔，其延伸穿过介电结构的耦合区域且曝光底切；光纤腔，其延伸穿过介电结构的耦合区域且曝光光纤槽；及设置于介电结构中的阻障环，阻障环围绕互连结构且在耦合区域的周边绕线。

公开(公告)号：CN115524786A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210173820.5

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴建瑩 ,  李玥瑩 ,  许隨贏 ,  黄振浩 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: G02B6/12

Abstract: 一种光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法，光子装置包括一硅层，其中该硅层自该光子装置的一波导区延伸至该光子装置的一装置区，且该硅层包括该波导区中的一波导部分。该光子装置进一步包括一包覆层，该包覆层位于该波导部分上方，其中该装置区没有该包覆层。该光子装置进一步包括一低折射率层，该低折射率层与该包覆层直接接触，其中该低折射率层包含氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化铝或氧化铪。该光子装置进一步包括一互连结构，该互连结构位于该低折射率层上方。