公开(公告)号：CN116682856A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310607132.X

申请日：2016-08-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  舒丽丽 ,  萧扬泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W‑形横截面的顶部用于形成接触接合区。半导体器件还可包括位于顶部的多个凹进的部分上的多个覆盖层。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN113496897A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110218703.1

申请日：2021-02-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 戴荣吉 ,  白易芳 ,  郭紫微 ,  杨宗熺 ,  游政卫 ,  颜政雄 ,  陈睿璿 ,  李启弘 ,  杨育佳 ,  丁姮彣 ,  游明华

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及具有用于接触插塞的大着陆面积的外延区域。一种方法包括在半导体鳍的第一部分上形成栅极堆叠，去除半导体鳍的第二部分以形成凹槽，以及从凹槽开始形成源极/漏极区域。形成源极/漏极区域包括执行第一外延工艺以生长第一半导体层，其中，第一半导体层包括笔直且垂直边缘，以及执行第二外延工艺以在第一半导体层上生长第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层为相同的导电类型。

公开(公告)号：CN110379855A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201810790101.1

申请日：2018-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 戴荣吉 ,  金志昀 ,  林衍廷 ,  李彦儒 ,  郑培仁 ,  李启弘

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 一实施例为半导体结构。半导体结构包含鳍状物于基板上。栅极结构位于鳍状物上。一源极/漏极位于鳍状物中并与栅极结构相邻。源极/漏极包括底层；支援层，位于底层上；以及顶层，位于支援层上。支援层的特性不同于底层与顶层的特性，且特性是材料、自然晶格常数、杂质浓度、和/或合金％含量。

公开(公告)号：CN107017299A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610994207.4

申请日：2016-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李啟弘 ,  陈志山 ,  戴荣吉 ,  林益安 ,  李彦儒 ,  林资敬

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一半导体基板。一介电封闭结构形成于半导体基板中。一鳍型场效晶体管装置的一源极/漏极形成于半导体基板上。源极/漏极的一底部区镶嵌至半导体基板中。源极/漏极的底部区具有一V型截面轮廓。源极/漏极的底部区经由半导体基板的部分而与介电封闭结构分离。

公开(公告)号：CN106531806B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201610750016.3

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  舒丽丽 ,  苏建彰 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  李则辉 ,  李英玮

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的实施例是一种结构，包括：位于衬底上方的第一鳍、位于衬底上方的第二鳍，第二鳍与第一鳍邻近；围绕第一鳍和第二鳍的隔离区；位于第一鳍和第二鳍的上表面上方并沿着第一鳍和第二鳍的侧壁的栅极结构，栅极结构限定第一鳍和第二鳍中的沟道区；在第一鳍和第二鳍上并与栅极结构邻近的源极/漏极区；以及将源极/漏极区与衬底的顶面分隔开的气隙。本发明实施例涉及FET及形成FET的方法。

公开(公告)号：CN106531804A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610669330.9

申请日：2016-08-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  舒丽丽 ,  萧扬泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785 ,  H01L29/4232

摘要： 一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W-形横截面的顶部用于形成接触接合区。半导体器件还可包括位于顶部的多个凹进的部分上的多个覆盖层。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110581131A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910160416.2

申请日：2019-03-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 金志昀 ,  林衍廷 ,  戴荣吉 ,  李健玮 ,  丁姮彣 ,  刘威民 ,  李彦儒 ,  宋学昌 ,  郑培仁 ,  李启弘 ,  徐梓翔

IPC分类号： H01L27/088

摘要： 一实施例为半导体结构。半导体结构包括基板。鳍状物位于基板上。鳍状物包括硅锗。界面层位于鳍状物上。界面层厚度大于0nm且小于或等于约4nm。源极/漏极区位于界面层上。源极/漏极区包含硅锗。

公开(公告)号：CN107017299B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201610994207.4

申请日：2016-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李啟弘 ,  陈志山 ,  戴荣吉 ,  林益安 ,  李彦儒 ,  林资敬

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一半导体基板。一介电封闭结构形成于半导体基板中。一鳍型场效晶体管装置的一源极/漏极形成于半导体基板上。源极/漏极的一底部区镶嵌至半导体基板中。源极/漏极的底部区具有一V型截面轮廓。源极/漏极的底部区经由半导体基板的部分而与介电封闭结构分离。

公开(公告)号：CN106531806A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610750016.3

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  舒丽丽 ,  苏建彰 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  李则辉 ,  李英玮

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的实施例是一种结构，包括：位于衬底上方的第一鳍、位于衬底上方的第二鳍，第二鳍与第一鳍邻近；围绕第一鳍和第二鳍的隔离区；位于第一鳍和第二鳍的上表面上方并沿着第一鳍和第二鳍的侧壁的栅极结构，栅极结构限定第一鳍和第二鳍中的沟道区；在第一鳍和第二鳍上并与栅极结构邻近的源极/漏极区；以及将源极/漏极区与衬底的顶面分隔开的气隙。本发明实施例涉及FET及形成FET的方法。

公开(公告)号：CN112530943A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011400802.3

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  舒丽丽 ,  林资敬

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上。在第一隔离结构与外延结构之间存在至少一个空隙。本发明还提供了半导体器件的制造方法。