公开(公告)号：CN112530943A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011400802.3

申请日：2016-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  舒丽丽 ,  林资敬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上。在第一隔离结构与外延结构之间存在至少一个空隙。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN112086357A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010424968.2

申请日：2020-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李昆穆 ,  丁姮彣 ,  李彦儒 ,  宋学昌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括在基板上方形成半导体鳍片，蚀刻半导体鳍片以形成凹陷，其中凹陷延伸到基板中，以及在凹陷中形成源极/漏极区，其中形成源极/漏极区的步骤包括在凹陷的侧壁上外延成长第一半导体材料，其中第一半导体材料包括硅锗，其中第一半导体材料具有第一锗浓度，在第一半导体材料上方外延成长第二半导体材料，第二半导体材料包括硅锗，其中第二半导体材料具有大于第一锗浓度的第二锗浓度，以及在第二半导体材料上方形成第三半导体材料，第三半导体材料包括硅锗，其中第三半导体材料具有小于第二锗浓度的第三锗浓度。

公开(公告)号：CN106531737A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610744135.8

申请日：2016-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  舒丽丽 ,  林资敬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上。在第一隔离结构与外延结构之间存在至少一个空隙。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN116682856A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310607132.X

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  舒丽丽 ,  萧扬泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W‑形横截面的顶部用于形成接触接合区。半导体器件还可包括位于顶部的多个凹进的部分上的多个覆盖层。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN114823520A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210088064.6

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李健玮 ,  李彦儒 ,  杨育佳 ,  丁姮彣 ,  粘志鸿 ,  颜精一 ,  金志昀 ,  李启弘

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基板；鳍片结构，在基板上方；栅极结构，在鳍片结构上方；以及外延区，形成在鳍片结构中并相邻栅极结构。外延区嵌入多个掺质丛簇。

公开(公告)号：CN113496897A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110218703.1

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴荣吉 ,  白易芳 ,  郭紫微 ,  杨宗熺 ,  游政卫 ,  颜政雄 ,  陈睿璿 ,  李启弘 ,  杨育佳 ,  丁姮彣 ,  游明华

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及具有用于接触插塞的大着陆面积的外延区域。一种方法包括在半导体鳍的第一部分上形成栅极堆叠，去除半导体鳍的第二部分以形成凹槽，以及从凹槽开始形成源极/漏极区域。形成源极/漏极区域包括执行第一外延工艺以生长第一半导体层，其中，第一半导体层包括笔直且垂直边缘，以及执行第二外延工艺以在第一半导体层上生长第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层为相同的导电类型。

公开(公告)号：CN112397452A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010377179.8

申请日：2020-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李昆穆 ,  丁姮彣 ,  宋学昌 ,  李彦儒 ,  李健玮

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置，包括一鳍部、一隔离区、一栅极结构、一栅极间隔件及一外延区。鳍部位于一基底上方，包括第一端及第二端，其中鳍部的第一端具有凸形轮廓；一隔离区与鳍部相邻；一栅极结构沿着鳍部的侧壁，且位于鳍部的上表面上；一栅极间隔件侧向相邻于栅极结构；一外延区与鳍部的第一端相邻。

公开(公告)号：CN110957369A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910923807.5

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁姮彣 ,  陈科维 ,  李启弘 ,  郑培仁 ,  宋学昌 ,  李彦儒 ,  林俊安

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括蚀刻半导体鳍片以形成凹槽；以及形成源极/漏极区域于凹槽之中，形成源极/漏极区域包括：在600℃至800℃的温度下外延成长第一半导体材料于凹槽之中，第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及在300℃至600℃的温度下顺应性地沉积第二半导体材料于第一半导体材料之上，第二半导体材料包括掺杂的硅锗且与第一半导体材料具有不同的组成。

公开(公告)号：CN106531806A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610750016.3

申请日：2016-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李彥儒 ,  李启弘 ,  郭建亿 ,  舒丽丽 ,  苏建彰 ,  丁姮彣 ,  戴荣吉 ,  李则辉 ,  李英玮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例是一种结构，包括：位于衬底上方的第一鳍、位于衬底上方的第二鳍，第二鳍与第一鳍邻近；围绕第一鳍和第二鳍的隔离区；位于第一鳍和第二鳍的上表面上方并沿着第一鳍和第二鳍的侧壁的栅极结构，栅极结构限定第一鳍和第二鳍中的沟道区；在第一鳍和第二鳍上并与栅极结构邻近的源极/漏极区；以及将源极/漏极区与衬底的顶面分隔开的气隙。本发明实施例涉及FET及形成FET的方法。

公开(公告)号：CN111261520A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911201611.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁姮彣 ,  宋学昌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开实施例公开了一种具有改善的源极/漏极区域轮廓的半导体装置以及其形成方法。在一实施例中，此方法包含蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽；以及形成源极/漏极区域，其包含在第一凹槽中外延生长第一半导体材料且第一半导体材料为硅；于第一半导体材料上外延生长第二半导体材料且第二半导体材料包含硅锗；以及于第二半导体材料上外延生长第三半导体材料且第三半导体材料具有60-80原子％的锗浓度，第三半导体材料的锗浓度大于第二半导体材料的锗浓度。