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公开(公告)号：CN119031692A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411058428.1
申请日：2024-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00 , H01L27/02 , G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 一种集成电路(IC)器件，具有其中实现多个存储器单元的存储器区。每个存储器单元沿着第一水平方向具有第一尺寸。IC器件包括沿着第一水平方向毗邻存储器单元区的边缘区。边缘区沿着第一水平方向具有第二尺寸。第二尺寸小于或者等于第一尺寸的约4倍。通过修改第一IC布局以生成第二IC布局来形成IC器件。通过缩减边缘区沿着第一水平方向的尺寸来生成第二IC布局。本申请的实施例还提供了一种集成电路布局和修改集成电路布局的方法。
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公开(公告)号：CN113130496A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011644634.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , G11C11/413
Abstract: 当前的公开针对具有减小的耦合电容的SRAM位单元。在垂直方向上，SRAM单元的字线“WL”和位线“BL”彼此远离地堆叠以减小WL和BL之间的耦合电容。在一个实施例中，WL通过一个或多个金属化层级与BL垂直地间隔开，WL或BL都不由一个或多个金属化层级形成。提供连接岛结构或跨接线结构以将WL或BL中位于上方的一个连接至SRAM单元的晶体管。本申请的实施例还涉及存储器结构、存储器器件及形成存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN112582420A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011036025.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 集成电路器件包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区域上方的FinFET，其中，该FinFET包括第一鳍结构和第一源极/漏极(S/D)部件，第一鳍结构具有第一宽度；以及鳍基阱条，设置在第一类型掺杂剂的掺杂区域上方，其中鳍基阱条包括第二鳍结构和第二S/D部件，第二鳍结构具有大于第一宽度的第二宽度，其中鳍基阱条将掺杂区域连接至电压。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111863817A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010185385.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/528
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置。静态随机存取存储器元件包括一导通闸晶体管、一下拉晶体管与一上拉晶体管。导通闸晶体管的一第一栅极线以及下拉晶体管以及上拉晶体管的一第二栅极线是沿着一第一方向延伸。导通闸晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管的一共用源极/漏极区夹设于第一栅极线与第二栅极线之间。第一接点是从共用源极/漏极区延伸。第二接点是从导通闸晶体管的另一源极/漏极区延伸。一第三接点设置在第二接点之上，并具有在第一方向的一第一宽度且在一第二方向的一第一长度的形状。第二方向垂直于第一方向。第一长度大于第一宽度。
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公开(公告)号：CN111508962A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010006146.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了基于鳍的阱条以用于改进存储器阵列的性能，诸如静态随机存取存储器阵列。示例性的阱条单元设置在第一存储器单元和第二存储器单元之间。阱条单元包括设置在衬底中的p阱、第一n阱和第二n阱。p阱、第一n阱和第二n阱配置在阱条单元中，使得阱条单元的中间部分沿着栅极长度方向没有第一n阱和第二n阱。阱条单元还包括到p阱的p阱拾取区和到第一n阱、第二n阱或两者的n阱拾取区。p阱沿着栅极长度方向具有I形的顶视图。本发明的实施例还涉及集成电路、存储器和存储器阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097810B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410509519.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/768 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于制造存储器件的各种结构、各个器件和各种方法。一种结构包括：设置在第一导电层中的第一导线；设置在第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关的第一着陆台；以及设置在第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关的第二着陆台。第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。
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公开(公告)号：CN105989869A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610146070.7
申请日：2016-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/18
CPC classification number: G11C5/063 , G06F17/5072 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C7/18 , G11C11/4097 , H01L27/11582 , H01L28/00
Abstract: 本发明提供了具有非对称布局的电路。电路包括第一电压线、与第一电压线平行的第二电压线、介于第一电压线与第二电压线之间的位线。位线以设计规则所允许的最小距离与第一电压线分离。与到第二电压线的距离相比较，位线更靠近第一电压线。介于位线与第一电压线之间的第一电容值不同于介于位线与第二电压线之间的第二电容值。
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公开(公告)号：CN119497364A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411413606.8
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00 , H10D89/10 , G06F30/392
Abstract: 电子存储器器件包括存储器单元电路。该电子存储器器件还包括非存储器单元电路。非存储器单元电路包括有源区。在俯视图中，有源区沿着第一方向延伸。有源区包括第一区段和第二区段。第一区段具有在俯视图中沿着第二方向测量的第一尺寸。第二区段具有在俯视图中沿着不同于第一方向的第二方向测量的第二尺寸。第二尺寸不同于第一尺寸。本申请的实施例还提供了修改集成电路布局设计的方法。
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公开(公告)号：CN118645473A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410654572.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L23/538 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体结构。半导体结构包括：功能单元区域，包括n型功能晶体管和p型功能晶体管。半导体结构也包括：第一电源传输单元区域，包括第一切割部件和位于第一切割部件中的第一接触轨。半导体结构也包括：第一电源轨，电连接至p型功能晶体管的源极端子和第一电源传输单元区域的第一接触轨。半导体结构也包括：第二电源传输单元区域，与第一电源传输单元相邻并且包括第二切割部件和位于第二切割部件中的第二接触轨。半导体结构也包括：绝缘带，在第一方向上从第一切割部件延伸至第二切割部件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN118284030A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410267920.3
申请日：2024-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00 , H01L23/528
Abstract: 本申请的实施例公开了存储器单元、集成电路结构及存储器阵列。存储器单元包括包括多个晶体管的器件层和设置在器件层上方的互连结构。每个晶体管包括在第一方向上纵向延伸的栅极结构。互连结构包括电耦合到器件层中的晶体管的最底部金属线层。最底部金属线层包括沿第一方向布置在按从第一到第六的顺序的第一、第二、第三、第四、第五和第六金属轨道中的金属线。沿第一方向测量的第一、第二、第三、第四、第五和第六金属轨道中的任何相邻两个金属轨道之间的距离是一致的。第一金属轨道包括电耦合到存储器单元的电接地的金属线。第六金属轨道包括电耦合到存储器单元的电源的金属线。
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