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公开(公告)号：CN107039418A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611025452.0
申请日：2016-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/552
CPC classification number: H03H1/0007 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/5286 , H01L29/93 , H03H7/0115 , H01L27/0248 , H01L23/552
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于电磁带隙(EBG)噪音抑制的集成电路(IC)管芯。电源网格和接地网格堆叠在覆盖半导体衬底的后道制程(BEOL)区域内，并且电感器布置在电源和接地网格的上方。电感器包括多个互相堆叠的电感器段并且端至端连接以限定电感器的长度。电容器位于电源和接地网格的下方，并且与电感器串联连接。电容器和电感器的各自终端分别地结合至电源和接地网格。也提供了一种用于制造IC管芯的方法。
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公开(公告)号：CN105355594A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510622440.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8224 , H01L27/02 , H01L27/082 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/735
CPC classification number: H01L21/8224 , H01L27/0207 , H01L27/0821 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L29/0692 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN102403366A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110082303.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0296 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/60 , H01L29/861 , H01L2223/6622 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供集成电路装置及形成集成电路装置的方法，所述装置包含第一导电性的半导体基材，其中此半导体基材包含第一表面和相对于第一表面的第二表面。穿透基材介层窗由此半导体基材的第一表面延伸到第二表面。具有相对于第一导电性的第二导电性的一井区围绕此穿透基材介层窗，且由半导体基材的第一表面延伸至第二表面。
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公开(公告)号：CN105355594B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510622440.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8224 , H01L27/02 , H01L27/082 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN102270532B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201010279223.8
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F17/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 根据实施例，一种半导体器件包括半导体晶片、中介层以及将半导体晶片结合至中介层的导电凸块。半导体晶片包括第一金属化层，并且第一金属化层包括第一导电图案。中介层包括第二金属化层，并且第二金属化层包括第二导电图案。一些导电凸块将第一导电图案电连接至第二导电图案以形成线圈。其他实施例考虑线圈、电感器和/或变压器的其他结构，并考虑多种制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102420216A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110060876.1
申请日：2011-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L29/0619 , H01L2223/6616 , H01L2223/6666 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种装置，其包括：基板，具有前表面和后表面；集成电路器件，在基板的前表面处；以及金属板，在基板的后表面上，其中，金属板与整个集成电路器件基本上重叠。保护环延伸到基板中并且环绕集成电路器件。保护环由导电材料形成。基板通孔(TSV)穿过基板并且电连接至金属板。
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公开(公告)号：CN101363882B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810126245.3
申请日：2008-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R31/2853 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种在测量集成电路中的接触及介层寄生电容的测试结构与方法。通过从测量结果中消除非待测量的电容的测量误差，以改良接触及介层电容测量的精准性。首先，电容是在具有待测量的接触或介层电容的目标测试结构所测量的。然后，在实质类似的对照测试结构上测量，而对照测试结构并无待测量的接触或介层。通过测量上述两个测试结构的电容，即可计算出待测量的接触与介层电容。
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公开(公告)号：CN102543958B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110122390.6
申请日：2011-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L27/02 , G01R31/28
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R1/0491 , G01R31/2644 , G01R31/318511 , G11C29/56 , G11C2029/5602 , H01L22/34
Abstract: 本发明提供一传输线、用于去嵌入晶片上装置的测试结构及晶片。在一实施例中，此传输线包含一基材、一阱位于此基材中、一屏蔽层位于此阱上及多个中间金属层位于此屏蔽层上，且这些中间金属层彼此借由多个通孔相互耦接。此传输线还包含一顶金属层于这些中间金属层上。本发明可显著地改善测试结构寄生效应的去嵌入的正确性。
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公开(公告)号：CN102403366B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110082303.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0296 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/60 , H01L29/861 , H01L2223/6622 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供集成电路装置及形成集成电路装置的方法，所述装置包含第一导电性的半导体基材，其中此半导体基材包含第一表面和相对于第一表面的第二表面。穿透基材介层窗由此半导体基材的第一表面延伸到第二表面。具有相对于第一导电性的第二导电性的一井区围绕此穿透基材介层窗，且由半导体基材的第一表面延伸至第二表面。
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公开(公告)号：CN102270532A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010279223.8
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F17/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 根据实施例，一种半导体器件包括半导体晶片、中介层以及将半导体晶片结合至中介层的导电凸块。半导体晶片包括第一金属化层，并且第一金属化层包括第一导电图案。中介层包括第二金属化层，并且第二金属化层包括第二导电图案。一些导电凸块将第一导电图案电连接至第二导电图案以形成线圈。其他实施例考虑线圈、电感器和/或变压器的其他结构，并考虑多种制造方法。
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