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公开(公告)号：CN119956304A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411933518.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本公开涉及一种周期极化的铌酸锂薄膜的制备方法。所述周期极化的铌酸锂薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供低阻硅衬底；于低阻硅衬底上形成铌酸锂单晶薄膜；其中，铌酸锂单晶薄膜的厚度范围包括：10nm～10μm；于铌酸锂单晶薄膜背离低阻硅衬底的表面形成极化电极；采用外电场极化法制备反转畴结构，得到在厚度方向贯穿铌酸锂单晶薄膜的反转畴结构。本申请实施例能够实现铌酸锂薄膜的完全极化反转，从而反转畴结构在深度上贯穿整个薄膜厚度，且可以制备出亚微米周期极化的铌酸锂薄膜。
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公开(公告)号：CN119717139A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411861979.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种用于波导耦合的光纤探针、其制造方法及耦合结构，涉及耦合器技术领域，用于与芯片耦合连接，包括：D型光纤，D型光纤的一端的平面设置为抛光面；波导层，波导层设置在抛光面上，且波导层与D型光纤的纤芯相连接，波导层的一端为渐薄结构，波导层用于与芯片的波导耦合，波导层的折射率与芯片的波导的折射率相同；解决现有技术中在芯片的波导上设置耦合结构，导致工序数目增加，成品率下降，芯片成本升高的问题。
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公开(公告)号：CN115933062A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211665094.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种全偏振光隔离器，基于将各向异性增益损耗与法拉第效应结合设计的非厄密系统去实现可全偏振阻挡的效果。能够通过单层具备偏振性能的薄膜结合多层具有增益的介质材料、磁光材料、金属结构进行实现。该方法能够获得一种新型的基于非厄米系统的全偏振光隔离器，具备需要的光学元件少，能量损耗低，甚至实现负损耗(增益)，隔离效果好等优点。
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公开(公告)号：CN115933052A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211266246.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法。一种光波导耦合器用于与光纤耦合，光波导耦合器包括基片以及高折射率波导，高折射率波导形成于基片上，且沿第一方向延伸；高折射率波导具有沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部。相较于第二端部，第一端部更靠近光纤。其中，高折射率波导的第一端部的厚度为第一预设值，高折射率波导的第一端部沿第二方向的尺寸为第二预设值，以使第一端部能够与光纤进行TE基模耦合。该光波导耦合器器件简单，易于制作、且具备了端面耦合器兼起偏的功能。
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公开(公告)号：CN114593821A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210082001.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 南开大学
IPC: G01J4/00
Abstract: 本申请提供一种动态偏振度计及检测光的偏振态的方法。该动态偏振度计包括分光元件、检测元件、第一探测器、第二探测器和控制模块。其中，分光元件用于将入射光分为第一光束和第二光束；检测元件具有超构表面，设置于第二光束的光路上；第二光束透射超构表面后形成待检测透射光；第一探测器设置于第一光束的光路上，用于检测第一光束的功率；第二探测器设置于待检测透射光的光路上，用于检测待检测透射光的功率；控制模块包括数据处理单元，对测得的第一光束的功率和待检测透射光的功率进行处理得到入射光的偏振态参数。该偏振度计采用具有超构表面的检测元件使得装置体积小，结构简单，检测精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114236648A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111566213.7
申请日：2021-12-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层外在手性超表面非对称反射的光学二极管，涉及手性超表面技术领域及光学信息领域，解决单层超薄手性超材料非对称传输器件的非对称传输率在理论上被限制在25％以内，并伴随很高的吸收损耗技术问题,本发明包括光源、线偏振片、宽带四分之一波片、光二极管器件、偏振分析测量系统以及光谱仪,上述的器件从光源到光谱仪依次设置，光源、线偏振片以及宽带四分之一波片的几何中心的连线与偏振分析测量系统和光谱仪的几何中心连线夹角大于0°和小于180°范围内，光二极管器件超表面层为外在手性结构阵列谐振器，本发明突破了单层超薄手性超材料非对称传输率在25％以内的限制和制作工艺复杂限制，实现亚微米量级光二极管效应的优点。
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公开(公告)号：CN109378269B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811170358.3
申请日：2018-10-08
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种对半导体表面过饱和掺杂且保持其晶格结构的制备方法。其是利用飞秒激光辐照半导体，在表面形成过饱和掺杂层。飞秒激光作用时间极短，瞬时功率极高，作用材料后降温速率极快，能通过与掺杂原子和半导体晶格的瞬时作用，将大量掺杂原子锁定在晶格中。对半导体加热，较高的衬底温度减缓飞秒激光作用后的瞬时超快降温速率，使缺陷不容易生成，从而保持其良好的晶格结构。本发明还具有工艺简单、易加工和易保存等优点，并且掺杂速度快，灵活性高，可以大面积加工也可以单点或沿预设路径加工。制备出的过饱和掺杂层在距表面0‑2000nm的深度范围内，掺杂浓度为1022‑1016Atoms/cm3，实现过饱和掺杂的同时保持晶格结构和掺杂原子活性。
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公开(公告)号：CN109286053B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811176902.5
申请日：2018-10-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长结构的片上太赫兹单向传输器制备方法，其目的在于减少反射光返回集成激光器中对激光器造成的严重损坏，尤其是在较高的光功率下产生的影响；并解决了在光路中由于其他器件的反射造成光路信号干扰等问题。采用的方案是：在亚波长矩形波导特定的位置镀上结构渐变的天线阵列超表面。超表面与波导模式发生强相互作用并为波导模式提供额外的单向动量补偿，从而实现了波导模式转化和能量的单向传输。本发明具有装置简单，易于操控，体积尺寸小，正向‑反向透射比值高等特点，利于太赫兹集成光学的发展和应用。
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公开(公告)号：CN112899781A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110074754.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种铋锌双掺铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的铋锌双掺铌酸锂晶体由纯度为99.99％的LiCO3、Nb2O5、Bi2O3和ZnO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Bi2O3的掺杂摩尔分数为0.50％～1.25％，ZnO的掺杂摩尔分数为5.00％～8.00％。本发明制备的铋锌双掺铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比熟知的名义纯铌酸锂晶体响应时间缩短2个数量级，光折变灵敏度提高2个数量级；相比目前报道最优的铋镁双掺铌酸锂晶体，饱和衍射效率提高12.9％，响应时间缩短10.1％，同时抗光损伤能力提高1个数量级，并且易于生长掺锌浓度可达8.0mol％。
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公开(公告)号：CN108767650B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810616911.5
申请日：2018-06-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明公开一种功能复合电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由一块KDP类晶体或者LiNbO3晶体按照一定的设计切型制成的一种功能复合电光Q开关器件。它利用了电光晶体的自然双折射效应和电光效应，可以同时起到1/4波片和传统电光Q开关的作用，能够独立地进行加压式电光调Q。本发明的优点在于：加压式调Q时无需再使用1/4波片或者检偏镜，装调简单方便，有利于提高激光器的紧凑性和稳定性，并且降低了成本。
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