公开(公告)号：CN119956304A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411933518.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 张国权 ,  张煜晨 ,  李三兵 ,  许京军

IPC: C23C14/35 ,  G02F1/35 ,  G02F1/39 ,  G02F1/03 ,  G03F7/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本公开涉及一种周期极化的铌酸锂薄膜的制备方法。所述周期极化的铌酸锂薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供低阻硅衬底；于低阻硅衬底上形成铌酸锂单晶薄膜；其中，铌酸锂单晶薄膜的厚度范围包括：10nm～10μm；于铌酸锂单晶薄膜背离低阻硅衬底的表面形成极化电极；采用外电场极化法制备反转畴结构，得到在厚度方向贯穿铌酸锂单晶薄膜的反转畴结构。本申请实施例能够实现铌酸锂薄膜的完全极化反转，从而反转畴结构在深度上贯穿整个薄膜厚度，且可以制备出亚微米周期极化的铌酸锂薄膜。