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公开(公告)号：CN119956304A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411933518.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本公开涉及一种周期极化的铌酸锂薄膜的制备方法。所述周期极化的铌酸锂薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供低阻硅衬底；于低阻硅衬底上形成铌酸锂单晶薄膜；其中，铌酸锂单晶薄膜的厚度范围包括：10nm～10μm；于铌酸锂单晶薄膜背离低阻硅衬底的表面形成极化电极；采用外电场极化法制备反转畴结构，得到在厚度方向贯穿铌酸锂单晶薄膜的反转畴结构。本申请实施例能够实现铌酸锂薄膜的完全极化反转，从而反转畴结构在深度上贯穿整个薄膜厚度，且可以制备出亚微米周期极化的铌酸锂薄膜。
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公开(公告)号：CN119717139A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411861979.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种用于波导耦合的光纤探针、其制造方法及耦合结构，涉及耦合器技术领域，用于与芯片耦合连接，包括：D型光纤，D型光纤的一端的平面设置为抛光面；波导层，波导层设置在抛光面上，且波导层与D型光纤的纤芯相连接，波导层的一端为渐薄结构，波导层用于与芯片的波导耦合，波导层的折射率与芯片的波导的折射率相同；解决现有技术中在芯片的波导上设置耦合结构，导致工序数目增加，成品率下降，芯片成本升高的问题。
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公开(公告)号：CN115933052A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211266246.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法。一种光波导耦合器用于与光纤耦合，光波导耦合器包括基片以及高折射率波导，高折射率波导形成于基片上，且沿第一方向延伸；高折射率波导具有沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部。相较于第二端部，第一端部更靠近光纤。其中，高折射率波导的第一端部的厚度为第一预设值，高折射率波导的第一端部沿第二方向的尺寸为第二预设值，以使第一端部能够与光纤进行TE基模耦合。该光波导耦合器器件简单，易于制作、且具备了端面耦合器兼起偏的功能。
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公开(公告)号：CN114594547B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210335051.4
申请日：2022-03-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器及其制备方法。一种光波导耦合器，包括基片、高折射率波导以及低折射率波导。高折射率波导形成于基片上；高折射率波导包括依次连接且沿第一方向延伸的第一导波段和第二导波段；其中，在第一方向上，第二导波段的厚度逐渐减小。低折射率波导形成于基片上，且覆盖高折射率波导。其中，低折射率波导的折射率介于基片的隔离层和高折射率波导的折射率之间，且被配置为用于将光束从光纤传输至高折射率波导，第二导波段沿第二方向的尺寸大于预设值。第二导波段和低折射率波导的对准容差较高，可有效提高光波导耦合器的制作容差，降低光波导耦合器的制造成本，有利于光波导耦合器的批量制造。
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公开(公告)号：CN109061910B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201811053887.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单，精度高，可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113943978B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111195202.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
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公开(公告)号：CN113156672A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110502226.1
申请日：2021-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开一种全光纤耦合器的封装结构和封装方法，包括壳体，还包括定支架和动支架，定支架和动支架与壳体连接，动支架包括动支架滑块和动支架安装台，两者固定连接；声光角锥，位于动支架安装台上且封装前与动支架安装台活动连接，可沿角锥轴向方向调节高度；声光光纤，两端分别连接在声光角锥和定支架上；电驱动接口与动支架安装台固定连接，与声光角锥电性连接；调节装置，位于壳体上，通过调节装置能够调整动支架滑块、位于动支架安装台上的声光角锥以及电驱动接口的位置；本发明通过在壳体上设置支架装置和调节装置，将声光光纤和声光角锥连接于支架装置和调节装置上，通过调节装置能够调整动支架和声光角锥的位置，从而调节光纤应力。
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公开(公告)号：CN112582534A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011438154.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。
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公开(公告)号：CN107797314B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201711114695.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/125
Abstract: 本发明公开了一种基于声光作用的全光纤光学移频器及其移频方法。本发明采用在单模光纤的包层上制备两段直径变小的声光作用区，二者之间为间隔区，超声角锥的锥顶粘接在间隔区；射频信号发生器发出电信号，超声换能器将电信号转化为声信号，经超声角锥放大后传输至单模光纤；当入射光满足相位匹配条件时，伴随着单模光纤中模式的转变，同时产生移频光，并且频移的频率为所加声波频率的两倍；本发明中降低了实际操作中对超声角锥与单模光纤粘接工艺的要求；使用单个超声角锥成功的降低了成本；更重要的是，采用单个超声角锥，降低了插损，便于封装，有利于应用；本发明同时具有频移量可调、信噪比可调、可以直接应用于光纤通路的优点。
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公开(公告)号：CN109061910A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811053887.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/05
CPC classification number: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单，精度高，可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。
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