公开(公告)号：CN113943978A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111195202.2

申请日：2021-10-13

Applicant: 南开大学

Inventor： 张国权 ,  钱月照 ,  张子晴 ,  许京军

IPC: C30B33/04 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。

公开(公告)号：CN113943978B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111195202.2

申请日：2021-10-13

Applicant: 南开大学

Inventor： 张国权 ,  钱月照 ,  张子晴 ,  许京军

IPC: C30B33/04 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。