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公开(公告)号：CN115933062B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202211665094.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种全偏振光隔离器，基于将各向异性增益损耗与法拉第效应结合设计的非厄密系统去实现可全偏振阻挡的效果。能够通过单层具备偏振性能的薄膜结合多层具有增益的介质材料、磁光材料、金属结构进行实现。该方法能够获得一种新型的基于非厄米系统的全偏振光隔离器，具备需要的光学元件少，能量损耗低，甚至实现负损耗(增益)，隔离效果好等优点。
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公开(公告)号：CN115933179B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211707548.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种基于多层外手性超表面实现全偏振器的方法，包括采用数值计算，模拟不同参数的多层U型金外在手性超表面；然后通过任意一束偏振光倾斜照射按照全偏振器作用的结果；采用电子束光刻蚀技术，在1mm厚的片状材料上，刻蚀出截面为5*5mm2的U型金分裂环谐振器阵列；测量透射光的偏振状态。本发明为实现全偏振转换器提供了一种新的实现方法，在偏振控制相关的应用方向具有重要应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116047634A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310008823.8
申请日：2023-01-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种外在手性超表面制备方法及非对称偏振转换器，基于单层外在手性超表面去实现非对称反射偏振转换，即正反方向上实现不同的偏振转换，甚至在一个反射方向的线偏振光其偏振保持不变，相反方向转换为另一个偏振的线偏振光的技术，该技术在反射双通道中实现不同的偏振态通讯、计算等应用中具有巨大的应用潜力；基于单层外在手性超表面去实现非对称透射偏振转换，即正反方向上实现不同的偏振转换，甚至在一个传播方向的线偏振光其偏振保持不变，相反方向转换为另一个偏振的线偏振光的技术，该技术在正反向双通道中实现不同的偏振态通讯、计算等应用中具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115933179A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211707548.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种基于多层外手性超表面实现全偏振器的方法，包括采用数值计算，模拟不同参数的多层U型金外在手性超表面；然后通过任意一束偏振光倾斜照射按照全偏振器作用的结果；采用电子束光刻蚀技术，在1mm厚的片状材料上，刻蚀出截面为5*5mm2的U型金分裂环谐振器阵列；测量透射光的偏振状态。本发明为实现全偏振转换器提供了一种新的实现方法，在偏振控制相关的应用方向具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN114236648B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111566213.7
申请日：2021-12-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层外在手性超表面非对称反射的光学二极管，涉及手性超表面技术领域及光学信息领域，解决单层超薄手性超材料非对称传输器件的非对称传输率在理论上被限制在25％以内，并伴随很高的吸收损耗技术问题,本发明包括光源、线偏振片、宽带四分之一波片、光二极管器件、偏振分析测量系统以及光谱仪,上述的器件从光源到光谱仪依次设置，光源、线偏振片以及宽带四分之一波片的几何中心的连线与偏振分析测量系统和光谱仪的几何中心连线夹角大于0°和小于180°范围内，光二极管器件超表面层为外在手性结构阵列谐振器，本发明突破了单层超薄手性超材料非对称传输率在25％以内的限制和制作工艺复杂限制，实现亚微米量级光二极管效应的优点。
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公开(公告)号：CN115933062A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211665094.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种全偏振光隔离器，基于将各向异性增益损耗与法拉第效应结合设计的非厄密系统去实现可全偏振阻挡的效果。能够通过单层具备偏振性能的薄膜结合多层具有增益的介质材料、磁光材料、金属结构进行实现。该方法能够获得一种新型的基于非厄米系统的全偏振光隔离器，具备需要的光学元件少，能量损耗低，甚至实现负损耗(增益)，隔离效果好等优点。
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公开(公告)号：CN114236648A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111566213.7
申请日：2021-12-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层外在手性超表面非对称反射的光学二极管，涉及手性超表面技术领域及光学信息领域，解决单层超薄手性超材料非对称传输器件的非对称传输率在理论上被限制在25％以内，并伴随很高的吸收损耗技术问题,本发明包括光源、线偏振片、宽带四分之一波片、光二极管器件、偏振分析测量系统以及光谱仪,上述的器件从光源到光谱仪依次设置，光源、线偏振片以及宽带四分之一波片的几何中心的连线与偏振分析测量系统和光谱仪的几何中心连线夹角大于0°和小于180°范围内，光二极管器件超表面层为外在手性结构阵列谐振器，本发明突破了单层超薄手性超材料非对称传输率在25％以内的限制和制作工艺复杂限制，实现亚微米量级光二极管效应的优点。
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