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公开(公告)号：CN102296365A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597801A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068854.2
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，由纯度为99.99％的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3制成，其制备方法是采用提拉法，1)将粉料按用料比混合，烘干后在混料机上搅拌，使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体。本发明的优点及效果：锆铜铈三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铜铈三掺铌酸锂晶体中能很好的实现了非挥发存储，灵敏度比铜铈双掺铌酸锂晶体提高了10倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597800A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068853.8
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铁锰三掺铌酸锂晶体，由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Fe2O3和MnO制成，其采用提拉法生长，1)将纯度为99.99％的粉料按用料比混合，烘干后在混料机上混合搅拌使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法生长锆铁锰三掺铌酸锂晶体。本发明的优点：锆铁锰三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铁锰三掺铌酸锂晶体中很好的实现了非挥发存储，响应时间最短达到1.21s，灵敏度达到1.78cm/J，比铁锰双掺铌酸锂晶体提高了20倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101187581A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710151175.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G01G3/12
Abstract: 一种双称重传感器复合称重装置。该装置在壳体内分别固定一个小量程、高灵敏度的拉压式传感器和一个大量程、低灵敏度的悬臂梁式传感器，构成一个总量程较大、称重较小时又具有较高灵敏度的复合称重装置。两个传感器分别通过短张丝和长张丝连接在引线上。拉压式传感器的下方连接了一个配重物，其重量加上拉压式传感器的自重与拉压式传感器量程基本相等，配重物的下方为固定在壳体上的可上下移动的托盘，可使配重物与托盘接触或脱离。用于称重的引线用托架固定。本发明可以满足晶体生长等径控制等特殊需要的传感器，不仅具有较大的量程，同时在小量程时具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1594673A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410019732.1
申请日：2004-06-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol％的Li，是Li含量小于50mol％的Li2O·Nb2O5体系中熔点最低的共晶点原料，有利于熔体的加入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119932499A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510022222.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种局域掺杂铌酸锂薄膜及其制备方法和应用，属于集成光学领域。本方法包括：磁控溅射法在铌酸锂晶片表面局域镀膜、局域镀膜的铌酸锂晶片在缺锂坩埚中进行扩散、利用Smart‑cutting技术制备局域掺杂铌酸锂薄膜。本发明制备方法工艺简单，克服了现有技术无法在铌酸锂晶片表面局部区域定制成膜的问题，还克服了有源无源薄膜拼接时存在的对准、接口损耗等问题。
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公开(公告)号：CN107059123A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710045195.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料并混合均匀，经预烧与烧结后，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体；将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，采用泡生法或提拉法在熔体中生长四偏磷酸二钾锶晶体。该晶体可用于制作非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块四偏磷酸二钾锶晶体。
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公开(公告)号：CN102296365B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1974888A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610129356.0
申请日：2006-11-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1151318C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN01144331.6
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法：采用填加K2O助溶剂的方法，降低铌酸锂的熔点，提高晶体的锂铌比，在熔融状态下，利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol.%以上，且光学质量好，适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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