基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法

    公开(公告)号:CN108441824B

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201810536490.5

    申请日:2018-05-31

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属于铁电薄膜生长方法领域,主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt,简称Pt(111),基片为衬底,选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol%和掺铁8.0wt%的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法,制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol%和掺铁8.0wt%的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器;所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长,便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。

    掺钇铌酸锂晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN102965732A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210463395.X

    申请日:2012-11-17

    Abstract: 本发明属于非线性光学晶体技术领域,涉及一种掺钇铌酸锂晶体,其特殊之处在于:是在铌酸锂中掺入锡离子Y3+,其中摩尔比[Li]/[Nb]=0.93~1.41,Y3+的掺入量摩尔百分比为0.5~6.0mol%。本发明的有益效果是,本发明提供的掺钇铌酸锂晶体具有掺杂阈值较低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有广泛的市场前景。

    一种掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119433710A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411624212.7

    申请日:2024-11-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体及其制备方法和应用,属于非线性光学晶体领域。本发明提供的掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5与Er2O3和/或Yb2O3制成;其中,Li和Nb的原子摩尔比为0.80~0.92,Er2O3的掺杂摩尔分数、Yb2O3的掺杂摩尔分数、Er2O3和Yb2O3的掺杂总摩尔分数分别为0.75%~1.25%。本发明制备的掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体,结晶质量高、掺杂浓度大,晶体整体均匀透亮,无明显宏观缺陷,可用于制备高质量铌酸锂体块材料和亚微米铌酸锂薄膜,进而制备高效率的光电功能器件,如激光器、放大器、探测器等,为集成光子学等领域的发展奠定基础。

    一种外延取向铌酸锂薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109913813B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201910236425.5

    申请日:2019-03-26

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖,之后沉积到衬底上形成薄膜,该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好,但容易出现复杂多晶的问题,限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中,首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长,然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题,操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。

    掺钇铌酸锂晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN102965732B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201210463395.X

    申请日:2012-11-17

    Abstract: 本发明属于非线性光学晶体技术领域,涉及一种掺钇铌酸锂晶体,其特殊之处在于:是在铌酸锂中掺入锡离子Y3+,其中摩尔比[Li]/[Nb]=0.93~1.41,Y3+的掺入量摩尔百分比为0.5~6.0mol%。本发明的有益效果是,本发明提供的掺钇铌酸锂晶体具有掺杂阈值较低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有广泛的市场前景。

    氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN113403683A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202010184540.5

    申请日:2020-03-16

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式为Zn2BO3F(NH3),分子量为225.66,属于六方晶系,空间群为P63mc,晶胞参数为Z=2。该晶体有较宽的透光范围,紫外透过截止边低于200nm,粉末倍频效率约为KDP的0.8倍。该晶体可采用水热法,通过程序降温的方法制备。该晶体可用于制作非线性光学器件,包括倍频发生器、频率转换器以及光参量振荡器。

    一种铋锌双掺铌酸锂晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN112899781A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110074754.1

    申请日:2021-01-20

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种铋锌双掺铌酸锂晶体及其制备方法和用途,属于非线性光学晶体领域。本发明提供的铋锌双掺铌酸锂晶体由纯度为99.99%的LiCO3、Nb2O5、Bi2O3和ZnO制成,其中,Li和Nb的原子摩尔比为0.90~1.0,Bi2O3的掺杂摩尔分数为0.50%~1.25%,ZnO的掺杂摩尔分数为5.00%~8.00%。本发明制备的铋锌双掺铌酸锂晶体的光折变效应显著增强,相比熟知的名义纯铌酸锂晶体响应时间缩短2个数量级,光折变灵敏度提高2个数量级;相比目前报道最优的铋镁双掺铌酸锂晶体,饱和衍射效率提高12.9%,响应时间缩短10.1%,同时抗光损伤能力提高1个数量级,并且易于生长掺锌浓度可达8.0mol%。

    一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体

    公开(公告)号:CN106929917B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201710280810.0

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域,特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成,其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88~0.94∶1,ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1~1.9mol%,MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0~6.0mol%。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃,匹配温度半宽度达到1.2℃,不需要使用加热炉和精密温度控制部件,在室温条件下即可实现90°相位匹配,同时具有突出的抗光折变能力,比同成分掺镁(5.0mol%)铌酸锂晶体提高了2个数量级,可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。

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