公开(公告)号：CN107059123A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710045195.5

申请日：2017-01-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙同庆 ,  王策 ,  孔勇发 ,  刘宏德 ,  刘士国 ,  许京军

IPC: C30B29/14 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00

CPC classification number: C30B29/14 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00

Abstract: 本发明涉及一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料并混合均匀，经预烧与烧结后，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体；将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，采用泡生法或提拉法在熔体中生长四偏磷酸二钾锶晶体。该晶体可用于制作非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块四偏磷酸二钾锶晶体。