一种局域掺杂铌酸锂薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119932499A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510022222.1

    申请日:2025-01-07

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明提供一种局域掺杂铌酸锂薄膜及其制备方法和应用,属于集成光学领域。本方法包括:磁控溅射法在铌酸锂晶片表面局域镀膜、局域镀膜的铌酸锂晶片在缺锂坩埚中进行扩散、利用Smart‑cutting技术制备局域掺杂铌酸锂薄膜。本发明制备方法工艺简单,克服了现有技术无法在铌酸锂晶片表面局部区域定制成膜的问题,还克服了有源无源薄膜拼接时存在的对准、接口损耗等问题。

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