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公开(公告)号：CN115910798A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211588592.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于存储器设计相关技术领域，其公开了一种边缘接触的高速浮栅存储器及其制备方法，方法包括：S1：采用半导体工艺自下而上依次构造控制栅极、底栅介层、浮栅层、隧穿层介质以及半导体沟道层；S2：将所述半导体沟道层的两端部表面暴露，采用相转变技术将暴露处的半导体相转化为金属相；S3：在所述金属相表面生成金属电极。本申请可以显著提升浮栅晶体管操作速度同时可以保持存储器所需高擦写耐久性。
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公开(公告)号：CN119421476A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411383349.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法，其中晶体管包括衬底层以及凸设在衬底层表面的栅极层，栅极层的上方设有沟道层，沟道层跨过栅极层具有位于栅极层正上方的沟道区域、位于栅极层相对两侧的两个电极区域以及连接在电极区域与沟道区域之间的上升区域，沟道层的材质为过渡金属硫族化合物，电极区域用于通过锂嵌入法进行诱导相变，以实现金属相和半导体相的边缘接触。本发明提出利用应力限位锂嵌入，利用栅极层与衬底层形成的台阶在沟道层内额外引入局域应力，从而将锂离子的扩散行为阻挡限位于应力存在位置即上升区域处，能实现更加锐利相转变界面的制备，且具有高一致性便于大规模集成。
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公开(公告)号：CN114956011B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210589029.2
申请日：2022-05-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料的制备技术领域，一种纳米材料的制备方法，包括如下步骤：在惰性气氛或真空条件下，利用脉冲焦耳热源对原材料进行加热或者辐射加热，使原材料快速蒸发并在位于其上方一定距离且具有一定温度的衬底上沉积、生长，从而制得所述纳米材料。本发明方法可控制制备多种纳米结构且兼容现有半导体工艺，具有效率高、成本低、能耗低、适用性广的优点。
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公开(公告)号：CN111403473A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010158695.1
申请日：2020-03-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于整流器领域，并具体公开了一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法。该场效应整流器包括从下至上依次设置的衬底、沟道层和耗尽层，同时还包括设置在耗尽层两侧的源极和漏极，其中沟道层由二维二硫化钼制成，以此降低场效应整流器的器件尺寸，耗尽层用于耗尽沟道层的载流子，用于提高场效应整流器的场效应调控能力。本发明采用二维二硫化钼材料作为场效应整流器的沟道层，使得器件尺寸得到了极大的降低，有利于实现更大的集成度，同时本发明通过增设耗尽层，用于耗尽沟道层的载流子，能够有效提升电场对于沟道层的调控性能，使得基于二维材料的场效应整流器获得较大的整流比，并在脉冲测试下展现出良好的整流特性。
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公开(公告)号：CN115266813A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210636343.1
申请日：2022-06-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种热泳驱动的纳米孔测序装置，属于生物医学工程技术领域。本发明将二维材料堆叠层布置在存储有不同温度溶液的两个腔室之间，并设置有孔隙能够使分子或离子通过；该二维材料堆叠层包括多层堆叠的隔热系数热导率低于26.2W/m*K的二维材料；本发明为现有纳米孔测序器件引入了基于温度梯度的热泳控制方法，有助于解决现有架构下各类目标分析物过孔过快、形态控制难、特征单一等问题。利用不同种类纳米颗粒(或分子)具有的不同热泳系数可实现待检测颗粒(或分子)的判别和分离。此外，对于DNA检测，还可通过控制溶液温度使DNA链展开，减小自杂化的概率，有利于DNA分子穿过纳米孔时的碱基测序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113612942B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110811321.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 诸葛福伟
IPC: H04N5/347 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种卷积视觉图像传感器，包括像素阵列，该像素阵列包括若干个像素结构，每个像素结构包括探测单元和N个信号调制单元；位于同一个像素结构中的所述N个信号调制单元包括与该像素结构中的探测单元连接的第一信号调制单元，和与相邻的像素结构中的探测单元连接的第二信号调制单元；所述N个信号调制单元以并联形式电连接后汇合形成该像素结构的输出电路，N≥2；本发明实现了将相邻像素结构中的探测单元采集的电信号传递至本像素结构中，利用信号调制单元赋予本像素结构与相邻像素结构获取到的电信号不同的卷积权重，卷积加权后获得本像素结构的实际像素信号。
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公开(公告)号：CN111403485B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010233375.8
申请日：2020-03-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于晶体管领域，并具体公开了一种新型铁电晶体管及其制备方法。该新型铁电晶体管包括底栅、底部电极、沟道层、铁电介质层和顶栅，其中：底部电极设置在底栅的上方，作为新型铁电晶体管的源极和漏极，沟道层设置在底部电极和底栅的上方，铁电介质层将底部电极和沟道层包覆，以此完成封装，顶栅设置在铁电介质层的上方，并且部分或全部覆盖沟道层。本发明利用顶栅、底栅的电容耦合效应，通过底栅施加电压的方式对顶栅、铁电介质层产生极化效果，无需通过顶栅施加电压，无需预留顶栅电极引脚，有效减小了铁电晶体管集成电路的复杂程度；同时通过调节顶栅面积的大小，能够改变顶栅和底栅的耦合强度，实现不同强度的电荷掺杂。
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公开(公告)号：CN111463295A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010291662.4
申请日：2020-04-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于光电探测相关技术领域，其公开了一种氧等离子体处理的硒氧化铋纳米片光电探测器及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积方法在衬底上制备硒氧化铋纳米片；(2)采用激光直写或者电子束曝光技术，结合热蒸发及电子束蒸发在所述硒氧化铋纳米片上制备一对源漏金属电极；(3)对所述硒氧化铋纳米片进行氧等离子体处理，由此得到硒氧化铋纳米片光电探测器。本发明采用等离子体处理的方法，可以使得硒氧化铋纳米片的初始暗态电流下降，可以增大器件的光响应，且制备方法工艺简单，操作容易，成本较低，有望应用于大规模改善硒氧化铋纳米片光电探测器的性能，为硒氧化铋在光电探测器的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN116516145A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310447284.8
申请日：2023-04-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料制造领域，公开了一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法，对于二维材料上待进行粒子扩散和/或插层的目标区域，首先在二维材料内引入应力形变，使目标区域与非目标区域的边界线与引入应力形变的位置相重合；然后，在二维材料上形成保护层并设置暴露窗口；接着，使粒子由暴露窗口扩散至二维材料中，并限制在目标区域中，从而实现对扩散和/或插层位置的精确控制。本发明通过在目标扩散和/或插层区域的边界位置额外引入应力，使材料产生局域形变导致层间距变小，提升扩散能垒，从而精确限制粒子扩散位置，能够有效解决层状材料内粒子扩散插层时位置难以精确控制的问题。
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公开(公告)号：CN114956011A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210589029.2
申请日：2022-05-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料的制备技术领域，一种纳米材料的制备方法，包括如下步骤：在惰性气氛或真空条件下，利用脉冲焦耳热源对原材料进行加热或者辐射加热，使原材料快速蒸发并在位于其上方一定距离且具有一定温度的衬底上沉积、生长，从而制得所述纳米材料。本发明方法可控制制备多种纳米结构且兼容现有半导体工艺，具有效率高、成本低、能耗低、适用性广的优点。
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