一种低阻整流式消声装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119042445A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411198109.0

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明属于管路消声领域,并具体公开了一种低阻整流式消声装置,其包括外管、进口插管、外穿孔管、出口插管、内穿孔管和整流管,其中:进口插管、外穿孔管、出口插管依次连接,并均位于外管内;对于进口插管、外穿孔管和出口插管形成的整体,其外侧与外管之间填充有吸声材料;进口插管为锥形渐扩管,出口插管为锥形渐缩管;整流管为进口封闭的锥形渐扩管,其位于装置轴中心,并靠近进口侧;内穿孔管与整流管连接,内穿孔管与整流管内形成整流腔;内穿孔管和外穿孔管上均开设有多个孔,内穿孔管与外穿孔管同轴设置。本发明装置可以在有效提高消声量的同时还能保证低阻力性能,减少膨胀腔的频率限制,且结构简单便于制作。

    一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法

    公开(公告)号:CN116516145A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310447284.8

    申请日:2023-04-24

    Abstract: 本发明属于电子材料制造领域,公开了一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法,对于二维材料上待进行粒子扩散和/或插层的目标区域,首先在二维材料内引入应力形变,使目标区域与非目标区域的边界线与引入应力形变的位置相重合;然后,在二维材料上形成保护层并设置暴露窗口;接着,使粒子由暴露窗口扩散至二维材料中,并限制在目标区域中,从而实现对扩散和/或插层位置的精确控制。本发明通过在目标扩散和/或插层区域的边界位置额外引入应力,使材料产生局域形变导致层间距变小,提升扩散能垒,从而精确限制粒子扩散位置,能够有效解决层状材料内粒子扩散插层时位置难以精确控制的问题。

    一种边缘接触的高速浮栅存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115910798A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211588592.4

    申请日:2022-12-09

    Abstract: 本发明属于存储器设计相关技术领域,其公开了一种边缘接触的高速浮栅存储器及其制备方法,方法包括:S1:采用半导体工艺自下而上依次构造控制栅极、底栅介层、浮栅层、隧穿层介质以及半导体沟道层;S2:将所述半导体沟道层的两端部表面暴露,采用相转变技术将暴露处的半导体相转化为金属相;S3:在所述金属相表面生成金属电极。本申请可以显著提升浮栅晶体管操作速度同时可以保持存储器所需高擦写耐久性。

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