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公开(公告)号：CN111463295A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010291662.4
申请日：2020-04-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于光电探测相关技术领域，其公开了一种氧等离子体处理的硒氧化铋纳米片光电探测器及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积方法在衬底上制备硒氧化铋纳米片；(2)采用激光直写或者电子束曝光技术，结合热蒸发及电子束蒸发在所述硒氧化铋纳米片上制备一对源漏金属电极；(3)对所述硒氧化铋纳米片进行氧等离子体处理，由此得到硒氧化铋纳米片光电探测器。本发明采用等离子体处理的方法，可以使得硒氧化铋纳米片的初始暗态电流下降，可以增大器件的光响应，且制备方法工艺简单，操作容易，成本较低，有望应用于大规模改善硒氧化铋纳米片光电探测器的性能，为硒氧化铋在光电探测器的应用奠定了基础。
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