公开(公告)号：CN111403473B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010158695.1

申请日：2020-03-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 诸葛福伟 ,  俞世文 ,  翟天佑

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于整流器领域，并具体公开了一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法。该场效应整流器包括从下至上依次设置的衬底、沟道层和耗尽层，同时还包括设置在耗尽层两侧的源极和漏极，其中沟道层由二维二硫化钼制成，以此降低场效应整流器的器件尺寸，耗尽层用于耗尽沟道层的载流子，用于提高场效应整流器的场效应调控能力。本发明采用二维二硫化钼材料作为场效应整流器的沟道层，使得器件尺寸得到了极大的降低，有利于实现更大的集成度，同时本发明通过增设耗尽层，用于耗尽沟道层的载流子，能够有效提升电场对于沟道层的调控性能，使得基于二维材料的场效应整流器获得较大的整流比，并在脉冲测试下展现出良好的整流特性。

公开(公告)号：CN111403473A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010158695.1

申请日：2020-03-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 诸葛福伟 ,  俞世文 ,  翟天佑

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于整流器领域，并具体公开了一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法。该场效应整流器包括从下至上依次设置的衬底、沟道层和耗尽层，同时还包括设置在耗尽层两侧的源极和漏极，其中沟道层由二维二硫化钼制成，以此降低场效应整流器的器件尺寸，耗尽层用于耗尽沟道层的载流子，用于提高场效应整流器的场效应调控能力。本发明采用二维二硫化钼材料作为场效应整流器的沟道层，使得器件尺寸得到了极大的降低，有利于实现更大的集成度，同时本发明通过增设耗尽层，用于耗尽沟道层的载流子，能够有效提升电场对于沟道层的调控性能，使得基于二维材料的场效应整流器获得较大的整流比，并在脉冲测试下展现出良好的整流特性。