公开(公告)号：CN102856182B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210141165.1

申请日：2012-05-09

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  G·M·格里瓦纳 ,  B·帕德玛纳伯翰 ,  P·温卡特拉曼

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明涉及制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构。在一个实施方案中，一种垂直型绝缘栅极场效应管包括形成于半导体材料内沟槽结构中的屏蔽电极。藉由使用栅极绝缘层，栅极电极与所述半导体材料隔离开。在形成所述屏蔽电极之前，可使用间隔层来沿着所述沟槽结构的部分形成屏蔽绝缘层。所述屏蔽绝缘层比所述栅极绝缘层厚。在另一个实施方案中，所述屏蔽绝缘层具有变化的厚度。

公开(公告)号：CN102856182A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210141165.1

申请日：2012-05-09

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  G·M·格里瓦纳 ,  B·帕德玛纳伯翰 ,  P·温卡特拉曼

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明涉及制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构。在一个实施方案中，一种垂直型绝缘栅极场效应管包括形成于半导体材料内沟槽结构中的屏蔽电极。藉由使用栅极绝缘层，栅极电极与所述半导体材料隔离开。在形成所述屏蔽电极之前，可使用间隔层来沿着所述沟槽结构的部分形成屏蔽绝缘层。所述屏蔽绝缘层比所述栅极绝缘层厚。在另一个实施方案中，所述屏蔽绝缘层具有变化的厚度。

公开(公告)号：CN114725202A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111638201.0

申请日：2021-12-29

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本公开提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体材料区域，该半导体材料区域具有主表面和第一导电类型；和屏蔽栅极沟槽结构。该屏蔽栅极沟槽结构包括：有源沟槽，位于该有源沟槽的下部中的绝缘屏蔽电极；与栅极电介质相邻、位于该有源沟槽的上部中的绝缘栅极电极；和插置在该栅极电极与该屏蔽电极之间的垫间电介质(IPD)。层间电介质(ILD)结构位于主表面上方。导电区域位于该有源沟槽内并且延伸穿过该ILD结构、栅极电极和IPD，并且电连接到该屏蔽电极。该导电区域通过电介质间隔物与该栅极电极电隔离。该栅极电极包括在顶视图中围绕导电区域的形状，使得该栅极电极不被导电区域和电介质间隔物中断。

公开(公告)号：CN101740395A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910206803.1

申请日：2009-10-21

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  D·B·巴伯 ,  B·普拉蒂

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在器件沟槽的邻近它们的基底的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。

公开(公告)号：CN101740395B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200910206803.1

申请日：2009-10-21

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  D·B·巴伯 ,  B·普拉蒂

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在器件沟槽的邻近它们的基底的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。

公开(公告)号：CN101740612A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910221061.X

申请日：2009-11-09

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  G·M·格里瓦纳 ,  P·温卡特拉曼

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

摘要： 在一个实施方式中，用于具有槽屏蔽电极的半导体器件的接触结构包括在槽结构中的栅极电极接触部分和屏蔽电极接触部分。在槽结构内或内部产生与栅极电极和屏蔽电极的接触。厚的无源层围绕接触部分中的屏蔽电极。

公开(公告)号：CN101740394A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910206802.7

申请日：2009-10-21

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  D·B·巴伯 ,  B·普拉蒂

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823487

摘要： 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近它们的基底的器件沟槽的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。

公开(公告)号：CN107887256B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201710904150.9

申请日：2017-09-29

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  J·金布尔 ,  G·M·格利瓦纳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28

摘要： 本发明题为：“形成电子器件的方法”。本发明公开了一种形成电子器件的方法，所述方法可包括提供具有第一部分和第二部分的衬底；将含氮物质引入到所述衬底的所述第二部分中；以及将所述衬底暴露于氧化环境，其中与所述第二部分相比，从所述第一部分生长的氧化物更厚。本发明要解决的问题是在无需复杂方法顺序的情况下获得不同的氧化物厚度。本发明实现的技术效果是在相同氧化循环期间在电子器件的不同部分中实现不同的氧化物厚度。

公开(公告)号：CN107887256A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710904150.9

申请日：2017-09-29

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  J·金布尔 ,  G·M·格利瓦纳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7889 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02315 ,  H01L29/40114

摘要： 本发明题为：“形成电子器件的方法”。本发明公开了一种形成电子器件的方法，所述方法可包括提供具有第一部分和第二部分的衬底；将含氮物质引入到所述衬底的所述第二部分中；以及将所述衬底暴露于氧化环境，其中与所述第二部分相比，从所述第一部分生长的氧化物更厚。本发明要解决的问题是在无需复杂方法顺序的情况下获得不同的氧化物厚度。本发明实现的技术效果是在相同氧化循环期间在电子器件的不同部分中实现不同的氧化物厚度。

公开(公告)号：CN101740622B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200910208844.4

申请日：2009-11-05

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  B·普拉蒂 ,  P·温卡特拉曼

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L27/088 ,  H01L27/082 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于半导体器件的屏蔽电极结构和方法。用于半导体器件的屏蔽结构包括多个槽。槽包括在其内形成的钝化衬板和屏蔽电极。在一个实施方式中，屏蔽结构置于控制垫之下。在另一实施方式中，屏蔽结构置于控制浇道之下。