公开(公告)号：CN101740395A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910206803.1

申请日：2009-10-21

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  D·B·巴伯 ,  B·普拉蒂

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在器件沟槽的邻近它们的基底的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。

公开(公告)号：CN101740622A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910208844.4

申请日：2009-11-05

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  B·普拉蒂 ,  P·温卡特拉曼

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L27/088 ,  H01L27/082 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于半导体器件的屏蔽电极结构和方法。用于半导体器件的屏蔽结构包括多个槽。槽包括在其内形成的钝化衬板和屏蔽电极。在一个实施方式中，屏蔽结构置于控制垫之下。在另一实施方式中，屏蔽结构置于控制浇道之下。

公开(公告)号：CN101740622B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200910208844.4

申请日：2009-11-05

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  B·普拉蒂 ,  P·温卡特拉曼

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L27/088 ,  H01L27/082 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于半导体器件的屏蔽电极结构和方法。用于半导体器件的屏蔽结构包括多个槽。槽包括在其内形成的钝化衬板和屏蔽电极。在一个实施方式中，屏蔽结构置于控制垫之下。在另一实施方式中，屏蔽结构置于控制浇道之下。

公开(公告)号：CN101740395B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200910206803.1

申请日：2009-10-21

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  D·B·巴伯 ,  B·普拉蒂

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在器件沟槽的邻近它们的基底的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。

公开(公告)号：CN101740394A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910206802.7

申请日：2009-10-21

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： P·A·伯克 ,  D·B·巴伯 ,  B·普拉蒂

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823487

摘要： 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近它们的基底的器件沟槽的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。