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公开(公告)号：CN111008514A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911033483.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种抗辐射加固模块级电路的仿真测试方法，将现有的商用软件仿真工具和自定义开发技术相结合，最大程度利用已有的辐射试验数据信息，统计区分具有相同库单元结构但功能不同电路的单粒子结果，定义关键因素和影响因子，运用数学统计的方法进行单粒子估计，以模型变量的形式反馈到商用软件仿真工具中，从而增加现有仿真工具的准确度。本发明方法在原有设计流程基础上，增加了抗辐射加固模块级电路单粒子敏感性分析、版图辐射加固设计规则检查、模块级电路单粒子软错误仿真验证环节，为抗辐射加固模块级电路的仿真验证提供参考。
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公开(公告)号：CN114417683A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111546918.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/25 , G06F30/17 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，该方法通过开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面(σ)和入射离子参数(LET)的试验数据；对单粒子翻转饱和截面(σsat)、单粒子翻转LET阈值(LETth)、器件敏感区深度(d)、器件器件漏斗长度(F)等参数的区间范围进行预估；在预估范围内对每一个参数进行调节，利用威布尔曲线进行拟合，采用蒙卡仿真工具开展仿真获取在轨单粒子翻转率；最终获取每一个参数与在轨翻转率平均优值的变化关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率的参考区间；该方法能够获取器件，尤其是商用器件的在轨单粒子翻转率的参考区间，有效指导宇航器件的选型。
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公开(公告)号：CN110083081B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910178186.2
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05B19/042 , G01R31/265 , G01R31/308
Abstract: 本发明涉及一种自动化单粒子辐照测试控制系统及方法，包括实验仪器程控模块、注量率监测模块、错误数统计模块、计时检测模块。本发明通过预设辐照条件阈值，实现了芯片辐照测试自动的开启和关闭，有效的提高了集成电路单粒子辐照试验的自动化程度，减小了单粒子辐照试验机时的浪费和实验人员的工作量；同时生成的数据文件包含了全部的试验数据(粒子注量率、粒子总注量、测试电流、单粒子错误数、测试波形)，提高了单粒子试验准确度，便于后续人员对试验结果的分析。
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公开(公告)号：CN114974388B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109639457A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811368413.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H04L41/0803 , G06F13/385 , H04L43/0811 , H04L43/0847
Abstract: 一种JESD204B协议高速发送器单粒子错误率的测试系统及方法，将高速发送器和可编程逻辑器件搭建成测试系统，可编程逻辑器件产生并行数据给高速发送器的并行端，同时配置高速发送器；高速发送器产生的串行数据发送给可编程逻辑器件并进行串并转换，然后可编程逻辑器件对低速的数据进行解析，检测高速发送器的单粒子错误率。本发明有效的提高了单粒子机时利用率，且数据链路完整，利用可编程逻辑器件将高速串行数据解串为低速的并行数据进行处理，而不是利用误码仪和高速示波器等昂贵的仪器进行监测，提升高速信号测试稳定性，并且降低了试验成本；按照不同错误类型自动分类进行统计，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN116524982A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310317754.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。
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公开(公告)号：CN116203381A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211058825.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于时间交织的高频信号单粒子瞬态检测方法，包括：在未辐照情况下，对待测电路输出进行时间交织高速采集，得到采样值D(t)，并计算得到对应时刻不含噪声的理想去噪值I(t)和噪声值Z(t)；对待测电路进行辐照试验，对待测电路输出的高频信号进行时间交织高速采集，得到采样值D′(t)；根据采样值D′(t)和对应时刻的噪声值Z(t)，计算得到对应时刻不含噪声的实际去噪值V(t)；根据V(t)与对应时刻的理想去噪值I(t)比较结果，确定对应时刻的单粒子瞬态的幅值和脉宽值；直到辐照试验结束，得到待测电路在重离子下的单粒子瞬态错误特征分布图。本发明有效提高了板级测试单粒子瞬态信号的脉宽精度和幅值精度，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN114974388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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