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公开(公告)号：CN114417683A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111546918.2
申请日：2021-12-16
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/25 , G06F30/17 , G06F111/08
摘要： 本发明公开了一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，该方法通过开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面(σ)和入射离子参数(LET)的试验数据；对单粒子翻转饱和截面(σsat)、单粒子翻转LET阈值(LETth)、器件敏感区深度(d)、器件器件漏斗长度(F)等参数的区间范围进行预估；在预估范围内对每一个参数进行调节，利用威布尔曲线进行拟合，采用蒙卡仿真工具开展仿真获取在轨单粒子翻转率；最终获取每一个参数与在轨翻转率平均优值的变化关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率的参考区间；该方法能够获取器件，尤其是商用器件的在轨单粒子翻转率的参考区间，有效指导宇航器件的选型。
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公开(公告)号：CN110083081B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910178186.2
申请日：2019-03-11
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05B19/042 , G01R31/265 , G01R31/308
摘要： 本发明涉及一种自动化单粒子辐照测试控制系统及方法，包括实验仪器程控模块、注量率监测模块、错误数统计模块、计时检测模块。本发明通过预设辐照条件阈值，实现了芯片辐照测试自动的开启和关闭，有效的提高了集成电路单粒子辐照试验的自动化程度，减小了单粒子辐照试验机时的浪费和实验人员的工作量；同时生成的数据文件包含了全部的试验数据(粒子注量率、粒子总注量、测试电流、单粒子错误数、测试波形)，提高了单粒子试验准确度，便于后续人员对试验结果的分析。
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公开(公告)号：CN118410623A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410435691.1
申请日：2024-04-11
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/27 , G06F30/15 , G06F18/2433 , G06F119/02
摘要： 一种在轨错误率多模校验方法、介质及设备，属于空间环境工程和辐射效应技术领域，包括：确定单粒子截面模型；提取单粒子截面模型参数的关键参数，变换所述关键参数得到至少两个新值，所述关键参数的原值和新值分别与单粒子截面模型参数中的其他参数组合获得单粒子截面模型计算参数组；在至少三个错误率软件中构建空间通量环境；将所述单粒子截面模型计算参数组分别代入每个空间通量环境得到原值和新值的错误率；通过原值和新值的错误率进行在轨错误率多模校验。本发明以常规手段构建基于不同软件的空间模型，并通过关键参数提取法，计算得到多组实际在轨错误率，通过多模态校正输出合理的在轨错误率。
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公开(公告)号：CN109581186B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811378257.5
申请日：2018-11-19
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种视觉信息处理电路的单粒子效应测试方法、装置、系统及电子设备，属于器件测试技术领域。所述方法包括辐照时，控制视觉信息处理电路的各功能模块依次运行，且在控制下一功能模块运行前，先判断当前功能模块功能是否正常；若是，则将当前功能模块的实际处理结果存储到存储模块中，并控制下一功能模块运行；若否，则记录一次功能错误，并返回初始步骤重新开始运行各功能模块；当各功能模块均运行完成后，将各功能模块的实际处理结果与标准处理结果比对，确定各功能模块的单粒子翻转错误数；根据功能错误数和单粒子翻转错误数，确定视觉信息处理电路的单粒子错误截面和错误率。本发明可提供各功能模块的单粒子翻转敏感性，覆盖全面。
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公开(公告)号：CN111008514A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911033483.4
申请日：2019-10-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 一种抗辐射加固模块级电路的仿真测试方法，将现有的商用软件仿真工具和自定义开发技术相结合，最大程度利用已有的辐射试验数据信息，统计区分具有相同库单元结构但功能不同电路的单粒子结果，定义关键因素和影响因子，运用数学统计的方法进行单粒子估计，以模型变量的形式反馈到商用软件仿真工具中，从而增加现有仿真工具的准确度。本发明方法在原有设计流程基础上，增加了抗辐射加固模块级电路单粒子敏感性分析、版图辐射加固设计规则检查、模块级电路单粒子软错误仿真验证环节，为抗辐射加固模块级电路的仿真验证提供参考。
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公开(公告)号：CN109581186A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811378257.5
申请日：2018-11-19
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种视觉信息处理电路的单粒子效应测试方法、装置、系统及电子设备，属于器件测试技术领域。所述方法包括辐照时，控制视觉信息处理电路的各功能模块依次运行，且在控制下一功能模块运行前，先判断当前功能模块功能是否正常；若是，则将当前功能模块的实际处理结果存储到存储模块中，并控制下一功能模块运行；若否，则记录一次功能错误，并返回初始步骤重新开始运行各功能模块；当各功能模块均运行完成后，将各功能模块的实际处理结果与标准处理结果比对，确定各功能模块的单粒子翻转错误数；根据功能错误数和单粒子翻转错误数，确定视觉信息处理电路的单粒子错误截面和错误率。本发明可提供各功能模块的单粒子翻转敏感性，覆盖全面。
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公开(公告)号：CN114974388B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/367 , G01T1/02
摘要： 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G01T1/02
摘要： 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN117169626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311120218.6
申请日：2023-08-31
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种低能质子单粒子在轨错误率评估方法，初始化有源区的入射质子能量，确定布拉格尖峰时的射束等效能量；进行初始化质子能量后的质子试验，获得对应能段质子的能量‑截面谱；对分段数据进行单频分解拟合操作和二阶非线性拟合，提取适当数据点，分别获得在轨错误率；再对两个在轨错误率进行比较分析，确定最终在轨错误率。本发明可以较为准确的评估低能质子直接电离/核反应导致的器件在轨错误率。
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