公开(公告)号：CN114974388B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202210472026.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 武永俊 ,  李哲 ,  毕潇 ,  缑纯良 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  董涛 ,  张健鹏 ,  徐雷霈 ,  张栩椉

IPC: G11C29/12

Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。

公开(公告)号：CN114974388A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210472026.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 武永俊 ,  李哲 ,  毕潇 ,  缑纯良 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  董涛 ,  张健鹏 ,  徐雷霈 ,  张栩椉

IPC: G11C29/12

Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。

公开(公告)号：CN114417683A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111546918.2

申请日：2021-12-16

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 李哲 ,  毕潇 ,  陈雷 ,  王煌伟 ,  武永俊 ,  缑纯良 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  张健鹏 ,  徐雷霈 ,  张栩椉 ,  董涛

IPC: G06F30/25 ,  G06F30/17 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开了一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，该方法通过开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面(σ)和入射离子参数(LET)的试验数据；对单粒子翻转饱和截面(σsat)、单粒子翻转LET阈值(LETth)、器件敏感区深度(d)、器件器件漏斗长度(F)等参数的区间范围进行预估；在预估范围内对每一个参数进行调节，利用威布尔曲线进行拟合，采用蒙卡仿真工具开展仿真获取在轨单粒子翻转率；最终获取每一个参数与在轨翻转率平均优值的变化关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率的参考区间；该方法能够获取器件，尤其是商用器件的在轨单粒子翻转率的参考区间，有效指导宇航器件的选型。