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公开(公告)号：CN114242722A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111562428.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将n型的氧化铟锡场效应晶体管(ITO FET)位于底层，p型的二维材料场效应晶体管位于上层，二者垂直堆叠形成互补场效应晶体管，从而获得一种功耗低、单元面积占用小、寄生效应小、工作速度快的CMOS器件。
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公开(公告)号：CN120085135A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510149036.4
申请日：2025-02-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法，属于半导体晶体管测试技术领域。本发明将非晶氧化物半导体晶体管器件划分为多个测试批次；将相同测试批次的器件分为HCD组和BTI组；所有器件进行HCD测试，不同测试批次的器件的测试条件不同，每个测试批次中HCD组施压阶段Vds>0，而BTI组Vds＝0；提取每个测试条件施压后器件的电学参数绘制转移特性曲线，利用HCD组器件施压后的阈值电压变化量和BTI组器件施压后的阈值电压变化量，得到待测器件的热效应阈值电压变化量。本发明填补小尺寸非晶氧化物半导体器件的HCD效应量化评估方法的空白，为DRAM阵列电路设计提供了重要参考。
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公开(公告)号：CN120018536A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510153540.1
申请日：2025-02-12
Applicant: 北京大学
IPC: H10D30/01 , H01L21/477 , H10D30/67
Abstract: 本发明公开一种高稳定性氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明通过对在阻挡层材料覆盖下的氧化物半导体晶体管器件进行高温退火，利用阻挡层材料对于氢和氧扩散系数的差异，使沟道中的氢得以有效释放的同时维持氧的比例，从而控制氧空位的浓度，提升氧化物半导体晶体管的稳定性。相较于其他传统工艺制备的氧化物半导体场效应晶体管，本发明制备的氧化物半导体场效应晶体管具有更好的电学稳定性和高温稳定性，同时阈值电压和开态电流得到保持。
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公开(公告)号：CN119663232A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311836510.8
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种无需退火的铁电薄膜材料及其器件应用。本发明提出使用原子层沉积的镧掺杂的铪锆氧(La:HZO)铁电材料，通过调节沉积温度、氧源脉冲时间来调控材料的结晶温度和铁电特性；调控镧掺杂比例控制栅介质的铁电特性与漏电特性，实现了无需退火、高剩余极化强度、高耐用性的铁电材料，满足后道工艺所需的工艺温度，能和现代集成电路后道工艺完美兼容。基于此材料可实现高性能的FeFET及其存储电路，也可以实现高性能的FeRAM及其存储电路。相较于需退火实现铁电的其他HfO2材料，该材料拥有更低的结晶温度，同热预算下更大的剩余极化强度以及更小的漏电。
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公开(公告)号：CN114242785A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111561524.4
申请日：2021-12-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/40 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铟锡的全透明薄膜晶体管及其制备方法。所述晶体管包括衬底、缓冲层、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，其中，所述栅电极和源漏电极的材料为金属性ITO，所述沟道层的材料为半导体性ITO。ITO的半导体性和金属性可通过调节磁控溅射生长厚度与氧分压来实现。这种基于ITO电极的场效应晶体管器件能实现更好的透光性。此外，相较于传统其他氧化物半导体器件，该设计可大幅减少金属材料的使用，进一步降低制备难度和成本；通过使用高迁移率半导体沟道ITO，相较于其他传统氧化物半导体，器件能提供更优异的驱动能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119031708A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411138959.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H10B12/00 , H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称源漏接触氧化物半导体晶体管的DRAM单元，属于氧化物半导体技术领域。本发明DRAM单元的写入晶体管采用非对称源漏接触氧化物半导体晶体管，所述写入晶体管的源端与沟道层采用欧姆接触，保证开态时良好的电子注入，所述写入晶体管的漏端与沟道层采用肖特基接触，降低保持状态下DRAM单元器件的泄漏电流，使得器件兼顾超快写入速度和超长保持时间，本发明有利于DRAM性能提升。
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公开(公告)号：CN119029044A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411138960.4
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镧插层的铪基铁电晶体管，属于氧化物半导体技术领域。本发明晶体管包括基底层、栅电极层、栅介质层、氧化物半导体沟道层、源/漏接触电极，栅介质层采用铪基铁电材料，通过原子层沉积工艺在氧化物半导体沟道层和铪基铁电材料层之间插入一层氧化镧介质层。本发明可以有效的控制界面质量，由于氧化镧的介电常数高于氧化铪、氧化锆、氧化铟本身，使界面电容更大有利于铁电材料获得更大的分压，可以在相同电压下获得更大的铁电极化，从而减小器件的功耗。因此，本发明可以利用氧化镧插层来改善氧化物半导体材料和铪极铁电材料界面质量，为铁电存储器件的设计与应用提供一种性能优化方案。
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公开(公告)号：CN119028414A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411138958.7
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体2T0C DRAM非易失性断电测试电路及验证方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明测试电路包括氧化物半导体2T0C DRAM单元、传输门、输入数据缓冲器、电流模式灵敏放大器和自举写入字线驱动器，在氧化物半导体2T0C DRAM单元写入操作后，通过传输门的形式，引入了高阻节点，实现了氧化物半导体2T0C DRAM单元的完全断电及与外部电路的隔离。本发明可以很好地对氧化物半导体2T0C DRAM单元进行非易失性测试与验证，从而拓宽了氧化物半导体2T0C DRAM非易失性的应用范围，对其在后摩尔时代的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119008702A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411121504.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种接触优化的氧化物半导体晶体管及其制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明在源、漏金属电极层和氧化物半导体沟道层之间的接触区域原位插入一层氧化物半导体接触层，该氧化物半导体接触层的载流子浓度与氧化物半导体沟道层的载流子浓度不同，在接触界面形成偶极子对。本发明可以在不影响阈值电压和载流子迁移率的前提下降低源漏接触电阻，从而提升开态电流、转移跨导等开态性能，且不会增加工艺难度，可以实现超短沟器件，更有利于实现接触尺寸小于20纳米的高性能器件。
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公开(公告)号：CN119008696A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411049564.4
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明氧化物半导体场效应晶体管采用沟槽状的氧化物半导体沟道层，在沟槽内再填充氧化物半导体材料，氧化物半导体填充层材料的氧空位浓度比氧化物半导体沟道层材料的氧空位浓度小；通过采用低载流子浓度的氧化物半导体作为内部填充材料，可以有效提升垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管的阈值调控能力，并避免界面损伤和非必要掺杂的影响，实现可精准调控阈值的垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管。
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