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公开(公告)号：CN120018536A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510153540.1
申请日：2025-02-12
Applicant: 北京大学
IPC: H10D30/01 , H01L21/477 , H10D30/67
Abstract: 本发明公开一种高稳定性氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明通过对在阻挡层材料覆盖下的氧化物半导体晶体管器件进行高温退火，利用阻挡层材料对于氢和氧扩散系数的差异，使沟道中的氢得以有效释放的同时维持氧的比例，从而控制氧空位的浓度，提升氧化物半导体晶体管的稳定性。相较于其他传统工艺制备的氧化物半导体场效应晶体管，本发明制备的氧化物半导体场效应晶体管具有更好的电学稳定性和高温稳定性，同时阈值电压和开态电流得到保持。
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