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公开(公告)号：CN114242785A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111561524.4
申请日：2021-12-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/40 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铟锡的全透明薄膜晶体管及其制备方法。所述晶体管包括衬底、缓冲层、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，其中，所述栅电极和源漏电极的材料为金属性ITO，所述沟道层的材料为半导体性ITO。ITO的半导体性和金属性可通过调节磁控溅射生长厚度与氧分压来实现。这种基于ITO电极的场效应晶体管器件能实现更好的透光性。此外，相较于传统其他氧化物半导体器件，该设计可大幅减少金属材料的使用，进一步降低制备难度和成本；通过使用高迁移率半导体沟道ITO，相较于其他传统氧化物半导体，器件能提供更优异的驱动能力。
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公开(公告)号：CN114242722A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111562428.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将n型的氧化铟锡场效应晶体管(ITO FET)位于底层，p型的二维材料场效应晶体管位于上层，二者垂直堆叠形成互补场效应晶体管，从而获得一种功耗低、单元面积占用小、寄生效应小、工作速度快的CMOS器件。
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公开(公告)号：CN119031708A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411138959.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H10B12/00 , H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称源漏接触氧化物半导体晶体管的DRAM单元，属于氧化物半导体技术领域。本发明DRAM单元的写入晶体管采用非对称源漏接触氧化物半导体晶体管，所述写入晶体管的源端与沟道层采用欧姆接触，保证开态时良好的电子注入，所述写入晶体管的漏端与沟道层采用肖特基接触，降低保持状态下DRAM单元器件的泄漏电流，使得器件兼顾超快写入速度和超长保持时间，本发明有利于DRAM性能提升。
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公开(公告)号：CN114242780A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111571065.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管为垂直型环栅结构，包括绝缘衬底，在绝缘衬底上由下至上依次层叠漏电极、大高宽比的氧化铟锡沟道层和源电极，其中氧化铟锡沟道层被高κ栅介质层和栅电极环绕包覆，形成环栅结构。氧化铟锡沟道由环栅包围，栅控能力增强，能更好地抑制短沟道效应，进一步推进工艺节点，并且相比于平面型环栅在栅长及源漏接触面积上的限制更小，其整体工艺热预算在300℃以内，可进行三维堆叠，因此有效提升了集成密度。
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公开(公告)号：CN120085135A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510149036.4
申请日：2025-02-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法，属于半导体晶体管测试技术领域。本发明将非晶氧化物半导体晶体管器件划分为多个测试批次；将相同测试批次的器件分为HCD组和BTI组；所有器件进行HCD测试，不同测试批次的器件的测试条件不同，每个测试批次中HCD组施压阶段Vds>0，而BTI组Vds＝0；提取每个测试条件施压后器件的电学参数绘制转移特性曲线，利用HCD组器件施压后的阈值电压变化量和BTI组器件施压后的阈值电压变化量，得到待测器件的热效应阈值电压变化量。本发明填补小尺寸非晶氧化物半导体器件的HCD效应量化评估方法的空白，为DRAM阵列电路设计提供了重要参考。
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