-
公开(公告)号：CN119340306A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310900224.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/538 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种TSV转接板、其制作方法和三维芯片，该TSV转接板包括：衬底，衬底的内部具有腔室和覆盖腔室的部分内壁的第一结构层，其中，第一结构层的材料类型与衬底的材料类型不同；通孔结构，贯穿衬底且位于腔室的一侧；液态金属，位于腔室中，液态金属与第一结构层包括相同的材料元素。本申请解决了现有技术中TSV转接板的散热能力较差的问题。
-
公开(公告)号：CN118888453A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410909328.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/473 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷转接板的制备方法和陶瓷转接板。制备方法包括：提供陶瓷衬底和第一陶瓷片；在陶瓷衬底的一侧形成凹槽，并注入液态金属至凹槽中；将第一陶瓷片组装至陶瓷衬底具有凹槽的一侧，以使第一陶瓷片覆盖凹槽；采用第一压合工艺将第一陶瓷片和陶瓷衬底进行压合，以形成第一压合单元；对第一压合单元进行烧结处理，以形成陶瓷转接板。通过本申请，解决了现有散热技术仍然无法满足现代芯片的集成规模对散热系统的需求的问题。
-
公开(公告)号：CN111223761B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010035880.1
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/8238 , H01L23/64 , C30B28/14 , C30B29/06 , C23C16/24 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，具体包括如下步骤：(1)选用炉管加热装置；(2)通入净化气体N2；(3)多晶硅沉积。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种通过变更输入气体管道及载气N2流量，改善多晶硅沉积薄膜品质，并通过此方法解决沉积多晶硅产生表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题的沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法；改善后并且优化的菜单在沉积多晶硅时能够实现产生较少的表面颗粒及高均匀度的膜厚，进而使产品质量的得到提升，以解决沉积多晶硅后所产生的表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题。
-
公开(公告)号：CN113770555B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111138134.6
申请日：2021-09-27
Applicant: 北京大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/082 , G01N21/65 , G01L1/24
Abstract: 本发明公开了一种渐开线激光辅助的晶圆切割加工方法、系统及应力检测方法，以克服现有技术切口处粗糙度高、残余应力大的缺陷。该方法，包括：将晶圆固定于转台上，转台放置于载物台上；调整载物台在X‑Y平面上的位置，使激光器聚焦在晶圆中心；驱动转台匀速旋转，并驱动激光器沿X轴或Y轴水平匀速运动，使激光在晶圆上的运动曲线为渐开线；在激光器匀速运动的过程中控制激光脉冲的峰值能量和脉冲宽度从而切割晶圆。本发明加工速度更加高速、平稳，内爆位置更加精确，产品切口较为平滑、残余应力较低。
-
公开(公告)号：CN114544593A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210227789.9
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种内嵌介电泳原位拉曼光谱系统，第一激光发射器向第一透镜组发射第一激光，第一激光通过第一透镜组汇聚后入射至样品容器流道指定区域；从样品容器射出的第一激光经过物镜进入成像相机；第二激光发射器向第二透镜组发射第二激光，第二激光经选择透镜组改变光路后由物镜入射样品容器流道指定区域，指定区域中被介电泳控制的液体气泡或微乳液中的液滴表面对第二激光反射，液体气泡的液滴表面反射的第二激光经选择透镜组改变光路并射向第三透镜组，第三透镜组射出的第二激光被拉曼光谱仪捕获。本发明能实时动态展现液体气泡或微乳液中的液滴表面性质，可为液体如水或微乳液等在微介观尺度的动态分析提供稳定可控的非接触无破坏性的原位表征手段。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113533204B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110832547.8
申请日：2021-07-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种捕获微流体汽泡的电调控观测系统，其单光子计数器、高速摄像机、皮秒脉冲激光器和高频电压源共同连接至一个触发同步发生器；微流体观察组件包括盖层、引入层和基板；盖层表面设有微流道观测区域；引入层处于盖层和基板之间，引入层的前端形成有液体引入口，引入层的后端形成有液体抽出口，引入层的左端形成有皮秒脉冲激光引入口，引入层的右端形成有皮秒脉冲激光引出口；基板凹槽内部沉积有金属电极；皮秒脉冲激光对微流体观察组件产生的气泡进行照射，气泡散射光打在分光棱镜上，单光子计数器捕获分光棱镜的分光进行微观观察，高速摄像机捕获分光棱镜的分光进行辅助观察。本发明有利于调控微流体中气泡，提高微流实验的精确度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN112928083A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110160678.6
申请日：2021-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L25/07 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅区的散热装置和制作方法，包括硅基板、流道层组件、冷却剂和针鳍，流道层组件和硅基板可拆卸连接，流道层组件上和硅基板上均设置有功率芯片，流道层组件上设置有多个针鳍，硅基板上开设有第一进液口和第一出液口，工作时，冷却剂通过第一进液口进入硅基板与流道层组件连接后形成的空腔内，然后通过针鳍使得硅基板上的功率芯片及流道层组件上的功率芯片得以快速散热，最后，冷却剂通过第一出液口流出。本发明属于散热装置技术领域，本发明的目的在于解决现有技术中的电子元件散热装置散热效果不好的问题。达到的技术效果为：本装置散热性能较好。
-
公开(公告)号：CN112581389A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011419908.8
申请日：2020-12-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种虚拟视点深度图处理方法、设备、装置及存储介质，本申请通过将预设参考视点对应的参考视点深度图前向映射到虚拟视点的位置，得到虚拟视点深度图，利用预设滤波方法对所述虚拟视点深度图进行平滑处理，保留了深度图的边缘信息，将所述平滑处理后的虚拟视点深度图反向映射到所述预设参考视点的位置，以合成基于不同预设参考视点的虚拟视点纹理图，对所述虚拟视点纹理图进行加权融合，并对融合后的虚拟视点纹理图进行空洞填补处理和前景边缘滤波处理，提高了虚拟视点深度图的质量。
-
公开(公告)号：CN109788289B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910141289.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N19/176 , H04N19/124 , H04N19/103
Abstract: 本申请公开了一种反量化方法、系统、设备及计算机可读介质。本申请实施例的方法包括：确定初始加权反量化矩阵，所述初始加权反量化矩阵与量化块的尺寸一致；对所述初始加权反量化矩阵中的多个矩阵元素进行置零操作，获取加权反量化矩阵，其中，根据所述量化块的尺寸确定需要进行置零操作的矩阵元素；对所述量化块中的量化系数进行加权反量化，生成对应的反变换系数，其中，使用所述加权反量化矩阵中与所述量化系数位置对应的矩阵元素的值作为所述加权反量化的权重系数。相较于现有技术，根据本发明实施例的反量化方法通过控制加权反量化矩阵的非0系数分布，将反量化后得到的反变换块中的非0系数控制在合适区域，从而控制反变换块的复杂程度。
-
公开(公告)号：CN109194888B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811339349.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/265 , H04N13/122 , H04N13/128
Abstract: 本发明公布了一种针对低质量深度图的DIBR自由视点合成方法，通过修复深度图，实现在虚拟视点合成高质量的图像；包括：提取深度图与彩色图的边缘信息，进行边缘的扩展对齐；逐列平滑深度图；正向投影到虚拟视点的位置；得到过滤后的位于虚拟视点的深度图；进行反向投影，得到位于虚拟视点位置的两张投影彩色图；相互补全对应空缺的图像信息；计算得到左图相对右图的校准偏移LR和右图相对左图的校准偏移RL；根据LR和RL移动左图和右图中的像素；进行图像融合，得到合成图。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
211
records
(took 0.036 seconds)
