公开(公告)号：CN112928083B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202110160678.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  刘远洋 ,  李伟 ,  刘宗玺 ,  张鑫

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅区的散热装置和制作方法，包括硅基板、流道层组件、冷却剂和针鳍，流道层组件和硅基板可拆卸连接，流道层组件上和硅基板上均设置有功率芯片，流道层组件上设置有多个针鳍，硅基板上开设有第一进液口和第一出液口，工作时，冷却剂通过第一进液口进入硅基板与流道层组件连接后形成的空腔内，然后通过针鳍使得硅基板上的功率芯片及流道层组件上的功率芯片得以快速散热，最后，冷却剂通过第一出液口流出。本发明属于散热装置技术领域，本发明的目的在于解决现有技术中的电子元件散热装置散热效果不好的问题。达到的技术效果为：本装置散热性能较好。

公开(公告)号：CN111244049A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010065763.X

申请日：2020-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  李伟 ,  刘远洋

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构和制作方法。一种内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构，包括：上下两层的垂直对称设置的第一部分和第二部分；第一部分包括：硅基板，其上有凹槽；设置在硅基板凹槽底部设置有硅通孔TSV；硅通孔TSV为圆柱体结构；包括：铜芯3、内硅柱4、铜屏蔽筒5和外硅柱6；内硅柱4包裹所述铜芯3；第一部分的凹槽和第二部分的凹槽形成密闭的冷却介质腔存储冷却介质；以及第一部分的硅通孔TSV和第二部分的硅通孔TSV一一对应连接。本发明通过硅基板内嵌散热腔使用冷却介质进行冷却，提高了散热功能。通过设置外层的铜屏蔽筒5，可以减小铜芯3的信号损失。

公开(公告)号：CN112928083A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110160678.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  刘远洋 ,  李伟 ,  刘宗玺 ,  张鑫

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅区的散热装置和制作方法，包括硅基板、流道层组件、冷却剂和针鳍，流道层组件和硅基板可拆卸连接，流道层组件上和硅基板上均设置有功率芯片，流道层组件上设置有多个针鳍，硅基板上开设有第一进液口和第一出液口，工作时，冷却剂通过第一进液口进入硅基板与流道层组件连接后形成的空腔内，然后通过针鳍使得硅基板上的功率芯片及流道层组件上的功率芯片得以快速散热，最后，冷却剂通过第一出液口流出。本发明属于散热装置技术领域，本发明的目的在于解决现有技术中的电子元件散热装置散热效果不好的问题。达到的技术效果为：本装置散热性能较好。

公开(公告)号：CN111244049B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010065763.X

申请日：2020-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  李伟 ,  刘远洋

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构和制作方法。一种内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构，包括：上下两层的垂直对称设置的第一部分和第二部分；第一部分包括：硅基板，其上有凹槽；设置在硅基板凹槽底部设置有硅通孔TSV；硅通孔TSV为圆柱体结构；包括：铜芯3、内硅柱4、铜屏蔽筒5和外硅柱6；内硅柱4包裹所述铜芯3；第一部分的凹槽和第二部分的凹槽形成密闭的冷却介质腔存储冷却介质；以及第一部分的硅通孔TSV和第二部分的硅通孔TSV一一对应连接。本发明通过硅基板内嵌散热腔使用冷却介质进行冷却，提高了散热功能。通过设置外层的铜屏蔽筒5，可以减小铜芯3的信号损失。