公开(公告)号：CN119340306A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202310900224.7

申请日：2023-07-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  高逸飞 ,  舒鹏怀 ,  余天健

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供了一种TSV转接板、其制作方法和三维芯片，该TSV转接板包括：衬底，衬底的内部具有腔室和覆盖腔室的部分内壁的第一结构层，其中，第一结构层的材料类型与衬底的材料类型不同；通孔结构，贯穿衬底且位于腔室的一侧；液态金属，位于腔室中，液态金属与第一结构层包括相同的材料元素。本申请解决了现有技术中TSV转接板的散热能力较差的问题。

公开(公告)号：CN119381364A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202310923140.5

申请日：2023-07-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  舒鹏怀 ,  高逸飞 ,  刘洋 ,  肖朋达

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/433 ,  H01L21/48 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请提供了一种内嵌式散热结构以及其制备方法。该内嵌式散热结构包括基底、多个微米柱以及金属液体，基底包括第一衬底以及第二衬底，第一衬底以及第二衬底围合形成空腔；多个微米柱间隔分布在基底的空腔内，且至少部分的微米柱的一端与第一衬底接触；金属液体位于空腔内，金属液体分别与基底以及微米柱接触。由于空腔内具有间隔分布的微米柱，使得金属液体在流动的过程中，金属液体与基底的运动粘度较小，进而保证金属液体在流动过程中的阻力较小，保证了金属液体的速度较大，又由于散热能力与金属液体的运动速度正相关，从而保证了内嵌式散热结构的散热效果较好，解决了现有技术中芯片内的超高密度晶体管所导致的高效散热需求难以满足的问题。