公开(公告)号：CN118888453A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410909328.9

申请日：2024-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  肖朋达 ,  宋德鑫 ,  余天健

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/473 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷转接板的制备方法和陶瓷转接板。制备方法包括：提供陶瓷衬底和第一陶瓷片；在陶瓷衬底的一侧形成凹槽，并注入液态金属至凹槽中；将第一陶瓷片组装至陶瓷衬底具有凹槽的一侧，以使第一陶瓷片覆盖凹槽；采用第一压合工艺将第一陶瓷片和陶瓷衬底进行压合，以形成第一压合单元；对第一压合单元进行烧结处理，以形成陶瓷转接板。通过本申请，解决了现有散热技术仍然无法满足现代芯片的集成规模对散热系统的需求的问题。

公开(公告)号：CN119381364A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202310923140.5

申请日：2023-07-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振宇 ,  舒鹏怀 ,  高逸飞 ,  刘洋 ,  肖朋达

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/433 ,  H01L21/48 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请提供了一种内嵌式散热结构以及其制备方法。该内嵌式散热结构包括基底、多个微米柱以及金属液体，基底包括第一衬底以及第二衬底，第一衬底以及第二衬底围合形成空腔；多个微米柱间隔分布在基底的空腔内，且至少部分的微米柱的一端与第一衬底接触；金属液体位于空腔内，金属液体分别与基底以及微米柱接触。由于空腔内具有间隔分布的微米柱，使得金属液体在流动的过程中，金属液体与基底的运动粘度较小，进而保证金属液体在流动过程中的阻力较小，保证了金属液体的速度较大，又由于散热能力与金属液体的运动速度正相关，从而保证了内嵌式散热结构的散热效果较好，解决了现有技术中芯片内的超高密度晶体管所导致的高效散热需求难以满足的问题。