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公开(公告)号：CN116960127B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311204378.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/8256 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外光刻和极深紫外光刻等方法，即能够制备出沟道长度在纳米尺度的大面积场效应晶体管阵列；本发明通过源电极和漏电极的侧壁与二维半导体材料薄膜接触，能够降低器件制备成本，而且由于源电极和漏电极在垂直方向构建，并且源电极和漏电极分布在沟道的同一侧，因而减小了单个场效应晶体管的面积，进而能够提高器件密度。
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公开(公告)号：CN108933193B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710385970.1
申请日：2017-05-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS2、超导体NbSe2等)通过范德瓦尔斯力构建磁性异质结构，可用于制备新奇的自旋器件。采用本发明可以提高(Ga,Mn)As薄膜与传统硅工艺集成技术的兼容性，对拓展自旋电子学的应用有重要的意义。
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公开(公告)号：CN105403536B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510971409.2
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法。本发明采用纳米线探针测量液体的折射率，不需要复杂的耦合激发装置，同时避免了贵金属的使用，因此可以大幅降低成本；此外，纳米线探针测量过程中避免了激光强光源的使用，不存在淬灭或者闪烁现象，稳定性好；并且对衬底的依赖性不高，柔性和硬质衬底均可以；特别是纳米线探针可以进入生物细胞，探测细胞内生物反应导致的折射率变化；通过纳米线的直径调控散射效率极大峰位的范围在650～900nm之间，这个波段是血液等生物混合液吸收和散射最小的波段，非常适合生物探测；本发明具有测量方法简单、稳定性好、成本低、灵敏度高以及应用广泛等优点。
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公开(公告)号：CN1333108C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10-300mA/cm2范围，时间为5-30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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公开(公告)号：CN104111235B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410331238.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种测量二维薄膜材料复折射率谱的方法，包括：测量所述样品的反射光谱，包括覆盖有二维材料区域的反射光谱和没有覆盖二维材料区域的反射光谱，利用二位薄膜材料在衬底上的衬度公式，得到二维薄膜材料的衬度谱；改变透明介质厚度，得到不同透明介质厚度下的衬度谱；在固定照明波长下通过多层薄膜反射光强的理论公式拟合衬度与透明介质厚度的关系获得二维薄膜材料的复折射率参数；改变照明波长，最终获得二维薄膜材料的复折射率谱。该方法具有空间分辨率高、测量范围宽、重复性好、成本低等优点。避免了传统椭偏仪和filmetrics测量方法不适用于新型小尺度二维材料的缺点，在以二维薄膜材料为功能单元的新型器件设计与制备方面有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104108704B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410331217.0
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯转移方法，包括：将滴定管固定在铁架台上，将金属箔长有石墨烯的一面向下置于目标衬底表面，将衬底放于滴定管的下方，将金属箔压平；将滴定管中的FeCl3溶液滴于金属箔上方，通过控制滴定管的开关控制流出的FeCl3溶液量，使得石墨烯与衬底之间没有FeCl3溶液进入；用稀盐酸溶液浸泡后，用去离子水反复对上述衬底进行冲洗，去除残留的Fe3+离子；之后将清洗干净的衬底取出，并用气枪将之吹干。本方法借助简单的滴定管系统采用无机溶液直接腐蚀金属催化薄膜，具有操作简便、成本低、无有机残留物、容易实现大面积器件集成等优点。
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公开(公告)号：CN102881841B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210391045.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高器件的出光效率，增加器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN104108704A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410331217.0
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯转移方法，包括：将滴定管固定在铁架台上，将金属箔长有石墨烯的一面向下置于目标衬底表面，将衬底放于滴定管的下方，将金属箔压平；将滴定管中的FeCl3溶液滴于金属箔上方，通过控制滴定管的开关控制流出的FeCl3溶液量，使得石墨烯与衬底之间没有FeCl3溶液进入；用稀盐酸溶液浸泡后，用去离子水反复对上述衬底进行冲洗，去除残留的Fe3+离子；之后将清洗干净的衬底取出，并用气枪将之吹干。本方法借助简单的滴定管系统采用无机溶液直接腐蚀金属催化薄膜，具有操作简便、成本低、无有机残留物、容易实现大面积器件集成等优点。
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公开(公告)号：CN114171392B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111361183.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜；再次图案化后得到分立的以半导体相碲化钼为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列；最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂，并制备图案化的顶栅金属电极，获得大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化钼n型掺杂效果理想，掺杂程度可调，同时所制备的器件源漏电极接触电阻低，提高了器件性能，为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN108933193A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710385970.1
申请日：2017-05-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS2、超导体NbSe2等)通过范德瓦尔斯力构建磁性异质结构，可用于制备新奇的自旋器件。采用本发明可以提高(Ga,Mn)As薄膜与传统硅工艺集成技术的兼容性，对拓展自旋电子学的应用有重要的意义。
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