公开(公告)号：CN1333108C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN03134724.X

申请日：2003-09-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 冉广照 ,  张伯蕊 ,  乔永平 ,  戴伦 ,  吕莹 ,  陈晓升 ,  秦国刚

IPC: C25B1/00

Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10-300mA/cm2范围，时间为5-30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。

公开(公告)号：CN1603471A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN03134724.X

申请日：2003-09-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 冉广照 ,  张伯蕊 ,  乔永平 ,  戴伦 ,  吕莹 ,  陈晓升 ,  秦国刚

IPC: C25B1/00

Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10－300mA/cm2范围，时间为5－30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。