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公开(公告)号：CN1713408A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410048076.8
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其特征在于：所述有机发光层上还有Al层，和位于Al层上的Au层。本发明用薄Al/Au层或LiF/Al/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40－50％，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
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公开(公告)号：CN100399865C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410056832.1
申请日：2004-08-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有厚度为5—40nm的稀土元素层，在所述稀土元素层上设有厚度为10—15nm的Au层。本发明用低功稀土/Au复合层或CsF/低功稀土/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6—8倍，而外层的Au膜导致的光吸收和光反射都较Ag膜小，且不会被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1302159C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极(1)、(2)和(3)，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，所述加热电极接地，分别与加热电极(1)及加热电极(2)组成两套蒸发电极；所述两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，一端均与加热电极(3)连接，另外一端分别连接于加热电极(1)和加热电极(2)上；所述使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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公开(公告)号：CN1333108C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10-300mA/cm2范围，时间为5-30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1741699A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410056832.1
申请日：2004-08-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其特征在于：所述有机发光层上设有稀土元素层，在所述稀土元素层上设有Au层。本发明用低功稀土/Au复合层或CsF/低功稀土/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6－8倍，而外层的Au膜(10nm)导致的光吸收和光反射都较Ag膜小，且不会被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。
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公开(公告)号：CN100463243C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410048076.8
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有LiF层，所述LiF层上设有厚度为0.6-15nm的Al层，在所述Al层上设有厚度为3-20nm的Au层。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10-5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40-50%，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
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公开(公告)号：CN1699637A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极A、B、C，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，加热电极C接地，分别与加热电极A及加热电极B组成两套蒸发电极；两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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公开(公告)号：CN1642376A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410001060.1
申请日：2004-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明所提供的有机电致发光器件，至少包括发光层，以及分别位于所述发光层上下的阴极层和阳极层，且所述阳极层的阳极为硅。该有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：1)在硅片背面制作欧姆接触金属；2)在步骤1)所述已制备好欧姆接触金属的硅片正面生长空穴注入/控制层；3)在步骤2)所述空穴注入/控制层上依次真空淀积空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入/控制层；4)用模板淀积法或用淀积加光刻的方法在步骤3)所述电子注入/控制层上依次制备透光阴极和厚阴极；5)在步骤4)所述透光阴极和厚阴极上制备器件钝化保护膜。本发明的有机电致发光器件可广泛应用于视频数字显示、仪器监控、广告等领域。也可实现微显示、(Microdisplay)，随身“看”等特殊要求，从而用在军事，电子游戏等特殊领域。
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公开(公告)号：CN1603471A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10－300mA/cm2范围，时间为5－30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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