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公开(公告)号：CN103812001B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410010627.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN101728488B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810225333.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN101060166A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610075837.8
申请日：2006-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/44 , H01L51/48 , H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28 , H05B33/26 , H05B33/10
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种透光电极及其制备方法。本发明所提供的透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。本发明用多晶硅薄膜作为透光电极可以兼顾透光率、稳定性和低成本等基本要素。原料可以是非晶硅，单晶硅尾料，也是硅的其他化合物；制备工艺可以用成本很低的磁控溅射或电子束蒸发等，真空在10－5托以上即可。与采用薄金属透光电极相比，透光率高且稳定。与ITO薄膜相比，材料和工艺成本均较低。本发明的透光电极在无机薄膜，有机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。
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公开(公告)号：CN118159108A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410557703.8
申请日：2024-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的溶解度，避免在制备单异质结的过程中导致上一层钙钛矿薄膜被破坏，从而保证成功制备得到双异质结结构的钙钛矿；并且，本发明还通过分别制备单异质结和单层钙钛矿薄膜再使其结合的方式，或者同时制备两个单异质结再将二者结合的方式，能够进一步降低对上一层钙钛矿薄膜的破坏，保证各膜层更为平整均匀，从而使各膜层紧密贴合，不会产生空气层。
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公开(公告)号：CN101840999B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010131806.6
申请日：2010-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，起到有效的产生中心的作用，从而提高其构成的有机发光二级管的发光效率，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明使n型硅为阳极的有机发光二极管应用范围得到拓展,同时，这种方法还可推广到以其他类型的n型半导体材料为阳极的有机发光二极管中去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101741007B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810226036.6
申请日：2008-11-04
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/1032 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN100463243C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410048076.8
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有LiF层，所述LiF层上设有厚度为0.6-15nm的Al层，在所述Al层上设有厚度为3-20nm的Au层。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10-5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40-50%，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
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公开(公告)号：CN1642376A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410001060.1
申请日：2004-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明所提供的有机电致发光器件，至少包括发光层，以及分别位于所述发光层上下的阴极层和阳极层，且所述阳极层的阳极为硅。该有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：1)在硅片背面制作欧姆接触金属；2)在步骤1)所述已制备好欧姆接触金属的硅片正面生长空穴注入/控制层；3)在步骤2)所述空穴注入/控制层上依次真空淀积空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入/控制层；4)用模板淀积法或用淀积加光刻的方法在步骤3)所述电子注入/控制层上依次制备透光阴极和厚阴极；5)在步骤4)所述透光阴极和厚阴极上制备器件钝化保护膜。本发明的有机电致发光器件可广泛应用于视频数字显示、仪器监控、广告等领域。也可实现微显示、(Microdisplay)，随身“看”等特殊要求，从而用在军事，电子游戏等特殊领域。
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公开(公告)号：CN1603471A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10－300mA/cm2范围，时间为5－30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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公开(公告)号：CN115755290B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211370471.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法，属于光子集成领域，通过将边发射激光芯片倾斜装焊在硅光芯片之上，把倾斜输出的光直接投射到硅光波导入射光栅上，对激光芯片和硅光芯片的结构和加工工艺无特殊要求，对于波导和光源的对准精度要求低、加工容差大，有利于降低加工封装成本；本发明中入射至硅光波导入射光栅的光线与垂直方向之间存在倾角，可有效抑制光耦合过程中的背向反射，提高耦合效率；本发明无需引入额外的全内反射转接结构或将激光芯片输出波段端面进行额外加工，降低了反射损耗、简化了工艺流程；本发明可以在现有微电子或光电子的封装线上完成，不引入额外加工步骤，可批量放大自动化生产。
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