公开(公告)号：CN101741007B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810226036.6

申请日：2008-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  洪涛 ,  陈挺 ,  冉广照 ,  陈娓兮

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/34373

Abstract: 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。

公开(公告)号：CN101741007A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810226036.6

申请日：2008-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  洪涛 ,  陈挺 ,  冉广照 ,  陈娓兮

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/34373

Abstract: 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。

公开(公告)号：CN101894915A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200910084618.X

申请日：2009-05-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  李延钊 ,  陈挺 ,  徐万劲 ,  冉广照

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层，或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层，然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜，随后在其中引入产生中心，用这种含有产生中心的n-Si薄膜作为OLED阳极，通过调整产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小以匹配电子注入电流，提高了硅基电致发光效率，同时减少了硅的用量，降低了器件生产成本，从而使硅基有机电致发光器件更适合产业化。