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公开(公告)号：CN1699637A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极A、B、C，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，加热电极C接地，分别与加热电极A及加热电极B组成两套蒸发电极；两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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公开(公告)号：CN1302159C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极(1)、(2)和(3)，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，所述加热电极接地，分别与加热电极(1)及加热电极(2)组成两套蒸发电极；所述两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，一端均与加热电极(3)连接，另外一端分别连接于加热电极(1)和加热电极(2)上；所述使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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