公开(公告)号：CN108933193B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201710385970.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 袁恺 ,  王海龙 ,  姚笑寒 ,  赵建华 ,  戴伦 ,  叶堉

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS2、超导体NbSe2等)通过范德瓦尔斯力构建磁性异质结构，可用于制备新奇的自旋器件。采用本发明可以提高(Ga,Mn)As薄膜与传统硅工艺集成技术的兼容性，对拓展自旋电子学的应用有重要的意义。

公开(公告)号：CN108933193A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201710385970.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 袁恺 ,  王海龙 ,  姚笑寒 ,  赵建华 ,  戴伦 ,  叶堉

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS2、超导体NbSe2等)通过范德瓦尔斯力构建磁性异质结构，可用于制备新奇的自旋器件。采用本发明可以提高(Ga,Mn)As薄膜与传统硅工艺集成技术的兼容性，对拓展自旋电子学的应用有重要的意义。