公开(公告)号：CN102623543A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210109738.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  胡佐富 ,  刘凤娟 ,  李振军 ,  王永生

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。

公开(公告)号：CN101964397B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010256417.6

申请日：2010-08-18

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 代千 ,  张希清 ,  孙建 ,  王永生

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  G01J1/42

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种基于NPB和BND的紫外光探测器，属于光电子信息领域，主要用于天体物理分析，太阳辐射和大气臭氧层研究，环境监测及预报，医疗卫生等领域。本发明是在ITO导电玻璃阳极(4)上依次真空蒸镀空穴传输材料NPB与电子传输材料BND的功能层(3)，氟化锂阴极修饰层(2)和铝金属薄膜阴极(1)。其中NPB和BND混合层的厚度为80～120nm，其质量比例4∶1。该紫外光探测器的探测范围为波长300～400nm的紫外光。该紫外光探测器具有成本低，工作电压低，简单易制，光电流产生的效率高，光电响应大的特点。

公开(公告)号：CN103280463A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310195118.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  周东站 ,  王海龙 ,  李彬 ,  高耸 ,  彭云飞 ,  王永生

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

Abstract: 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，厚度为20～60nm；ZnMgzLixNyO靶包括ZnO、MgO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～860℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。

公开(公告)号：CN100431101C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200710099109.5

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: H01L21/20 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700-900℃，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；2.在400-500℃下，生长1-4nm的MgO层；3.在700-800℃下，退火处理10-30分钟；4.在350-450℃下，生长10-30nm的ZnO过渡层；5.在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；6.在600-700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。

公开(公告)号：CN101050544A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710099109.5

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: C30B23/06 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700－900℃，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；2.在400－500℃下，生长1－4nm的MgO层；3.在700－800℃下，退火处理10－30分钟；4.在350－450℃下，生长10－30nm的ZnO过渡层；5.在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；6.在600－700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。

公开(公告)号：CN108258055A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810036386.X

申请日：2018-01-15

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李然 ,  张希清 ,  苏金宝 ,  戴仕千 ,  麻尧斌 ,  田龙杰 ,  王琪 ,  王晔

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种锌铟锡氧化物基薄膜晶体管制作方法，制成一种透明薄膜晶体管，该方法包括：衬底与底栅极相接，或与源极和漏极相接，绝缘层与栅极和有源层相接，绝缘层与有源层完全接触，有源层与绝缘层、源极和漏极相接；制备厚度为30～300nm的绝缘层，制备厚度为10～50nm的ZnxInySnzO:(Lia,Nb)有源层，ZnxInySnzO:(Lia,Nb)的靶包括ZnO、In2O3、SnO2、Li2O和Zn2N3，0

公开(公告)号：CN103280463B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310195118.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  周东站 ,  王海龙 ,  李彬 ,  高耸 ,  彭云飞 ,  王永生

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

Abstract: 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，0

公开(公告)号：CN102623543B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210109738.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  胡佐富 ,  刘凤娟 ,  李振军 ,  王永生

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。

公开(公告)号：CN102513533A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110456075.7

申请日：2011-12-30

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  张希清 ,  王闻硕 ,  杨冰洋 ,  王永生

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/24 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B31/04

Abstract: 单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料及其制备方法，涉及单层石墨烯及其衍生物制备领域，是一种在水溶液中制备单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料的制备方法。适用于生物检测，有害气体探测等领域。解决了现有的制备方法繁杂、对所需设备要求高、使用有机物造成污染的问题。该复合材料的组份含量为：金纳米颗粒的质量分数为28％～50％；单层石墨烯的质量分数为50％～72％。该制备方法包括：步骤一利用高锰酸钾与浓硫酸混合氧化石墨制备单层氧化石墨烯溶液，并干燥成粉末；步骤二单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料的悬浊液的制备；步骤三对步骤二中所得悬浊液进行离心，得到沉淀，即得到单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料。

公开(公告)号：CN101350312A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810222662.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  赵建伟

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。