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公开(公告)号：CN100431101C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710099109.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700-900℃，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；2.在400-500℃下，生长1-4nm的MgO层；3.在700-800℃下，退火处理10-30分钟；4.在350-450℃下，生长10-30nm的ZnO过渡层；5.在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；6.在600-700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。
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公开(公告)号：CN101050544A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099109.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: C30B23/06 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700－900℃，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；2.在400－500℃下，生长1－4nm的MgO层；3.在700－800℃下，退火处理10－30分钟；4.在350－450℃下，生长10－30nm的ZnO过渡层；5.在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；6.在600－700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。
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公开(公告)号：CN100468662C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700-900℃下，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；步骤2，在400-500℃下，生长厚度为1-4nm的MgO柔性层；步骤3，在700-800℃下，退火处理10-30分钟；步骤4，在350-450℃下，生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；步骤6，在600-700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100366127C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510012212.2
申请日：2005-07-18
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种有机薄膜电致发光器件，由依次在透明电极(1)上制备空穴传输层(2)、有机发光层(3)、无机电子传输层(6)、电子电势补偿层(4)和背电极(5)构成。无机电子传输层(6)由n型ZnS或n型ZnO制备，其厚度1nm-10nm。无机电子传输层(6)还能由其他的n型宽禁带无机材料：n型CoO、n型GaN、n型BaO、n型MgO或n型AlN制备。这种结构能改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的互扩散，注入的空穴与电子的不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN101055843A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN1728905A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510012212.2
申请日：2005-07-18
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种有机薄膜电致发光器件，由依次在透明电极(1)上制备空穴传输层(2)、有机发光层(3)、无机电子传输层(6)、电子电势补偿层(4)和背电极(5)构成。无机电子传输层(6)由n型ZnS或n型ZnO制备，其厚度1nm－10nm。无机电子传输层(6)还能由其他的n型宽禁带无机材料：n型CoO、n型GaN、n型BaO、n型MgO或n型AlN制备。这种结构能改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的互扩散，注入的空穴与电子的不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN2710312Y
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200420009182.0
申请日：2004-07-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 新型有机薄膜电致发光器件，涉及信息显示器件，它包括：在透明电极(1)上，依次制备空穴传输层(2)、有机发光层(4)、电子传输层(6)和背电极(7)，其有机发光层(4)的两侧加入空穴绝缘层(3)和电子绝缘层(5)。空穴绝缘层(3)和电子绝缘层(5)采用宽禁带无机材料、宽禁带有机材料或宽禁带聚合物材料，绝缘层厚度0.2nm－5nm。该结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与电子传输层和空穴传输层的互扩散；注入的空穴及注入的电子不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN2710303Y
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200420009183.5
申请日：2004-07-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种有机薄膜电致发光器件，涉及信息显示器件，它包括：透明电极(1)、空穴传输层(2)、有机发光层(4)、电子电势补偿层(5)和背电极(6)，其特征在于：在空穴传输层(2)与有机发光层(4)之间加入绝缘层(3)。绝缘层(3)采用宽禁带无机材料、宽禁带有机材料或宽禁带聚合物材料，绝缘层厚度0.2nm－5nm。该结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与空穴传输层的互扩散；注入的空穴及注入的电子不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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