公开(公告)号：CN107068745A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611206251.0

申请日：2017-03-31

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何家琪 ,  何大伟 ,  张璐 ,  赵思淇 ,  王永生

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L29/66409

Abstract: 范德瓦尔斯异质结以其原子层级界面，突出的机械柔性和极高的化学稳定性等特点将功能型异质结的研究带向了一个新的纪元。它的层间耦合特性使得打破了在选择制备材料时的束缚，并消除了传统材料在制备异质结构时的巨大限制。本发明意在提供一种工艺流程简单，对衬底和不同材料间晶格匹配要求低，不需要进行材料掺杂等工艺，而是利用范德瓦耳斯力将二种不同的二维晶体组成异质结结构，再利用该异质结结构作为导电沟道材料制备场效应晶体管及其制备方法。

公开(公告)号：CN105097298A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510278333.5

申请日：2015-05-27

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  杜翔 ,  孟英 ,  王永生

IPC: H01G11/86 ,  C01B31/04

Abstract: 一种利用氧化石墨烯溶液制备石墨烯水凝胶电极的方法，涉及水凝胶制备，解决了现有技术制备超级电容器石墨烯电极的复杂方法，提供一种反应条件温和，过程时间短，操作简单能耗较低，电极形状可控制的石墨烯电极制备方法。该方法是将氧化石墨烯粉末，按每1g加1～4L去离子水配制成氧化石墨烯分散液，以50～150rpm搅拌6～12h，以每1g氧化石墨烯粉末加入0.5～4g硫化钠或0.5～4g抗坏血酸作还原剂成为混合液；将制得的混合液，搅拌1～10min后，静置0.5～36h后，将混合液倒入电极形状对应的形状样品瓶中，封口，加热温度为80～95℃，加热时间为3～10h；取出样品瓶中的黑色固体用去离子水浸泡，浸泡的时间不低于20h，得到石墨烯水凝胶电极。

公开(公告)号：CN104891477A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510250058.6

申请日：2015-05-15

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  赵文 ,  王永生

IPC: C01B31/04

Abstract: 一种简单环保的石墨烯纸制备方法，涉及石墨烯纸制备领域。解决了现有的石墨烯纸制备技术对设备要求高、制备时间长和环境污染严重的问题。该石墨烯纸的制备方法包括：利用浓硫酸和高锰酸钾氧化石墨制备氧化石墨烯粉末；将氧化石墨烯粉末和去离子水混合、超声，得到氧化石墨烯分散液，加入抗坏血酸，加热还原，降温冷冻，解冻后形成网状石墨烯，再次加热进一步还原，降温超声，形成石墨烯的悬浊液；抽滤石墨烯悬浊液得到石墨烯纸。

公开(公告)号：CN103280463A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310195118.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  周东站 ,  王海龙 ,  李彬 ,  高耸 ,  彭云飞 ,  王永生

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

Abstract: 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，厚度为20～60nm；ZnMgzLixNyO靶包括ZnO、MgO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～860℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。

公开(公告)号：CN102522208A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110439799.0

申请日：2011-12-23

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  王永生 ,  吴洪鹏 ,  许海腾 ,  富鸣

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/15

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 一种石墨烯基水平结构超级电容器及其制备方法，涉及一种超级电容器及制备方法。解决了现有的超级电容器垂直结构与石墨烯在二维平面上展现出的物化性能不能兼容的问题。该器件结构是在衬底(1)上顺序制作左石墨烯导电薄膜电极(2)、右石墨烯导电薄膜电极(3)、左金属电极(4)、右金属电极(5)，左石墨烯导电薄膜电极(2)、右石墨烯导电薄膜电极(3)之间填充固态电解质层(6)。其方法包括：步骤一氧化石墨烯薄膜的制备；步骤二石墨烯导电薄膜电极的制备；步骤三金属电极的制备；步骤四水平结构超级电容器的制备。该超级电容器能够广泛应用于电子产品、新能源交通、新能源发电系统以及电磁脉冲等军用设备领域。

公开(公告)号：CN101864308A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010216268.0

申请日：2010-07-02

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  王永生 ,  陈震旻 ,  邬洋 ,  富鸣

IPC: C09K11/79 ,  C09K11/59

Abstract: 一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料的制备方法，涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤：准备材料正硅酸乙酯、浓度为0.055mol/L的十六烷基三甲基溴化铵的水溶液、浓度为25wt.％的氨水、去离子水、稀土乙酸盐；按正硅酸乙酯∶十六烷基三甲基溴化铵∶氨的摩尔比为1∶0.132∶2.8取料，取正硅酸乙酯∶稀土离子的摩尔比为50～100的稀土乙酸盐；把十六烷基三甲基溴化铵的水溶液移入四口容器中，依次加入乙酸盐、氨水、正硅酸乙酯，常温水浴搅拌1～2小时后真空抽滤，并洗涤至pH为中性；在80℃～90℃下进行真空干燥12～24小时后研磨；以1℃/min的升温速率加热到450℃～550℃并保温3～5小时后再冷却、研磨得到样品。提供一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料，拓展介孔材料的应用。

公开(公告)号：CN100431101C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200710099109.5

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: H01L21/20 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700-900℃，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；2.在400-500℃下，生长1-4nm的MgO层；3.在700-800℃下，退火处理10-30分钟；4.在350-450℃下，生长10-30nm的ZnO过渡层；5.在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；6.在600-700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。

公开(公告)号：CN101050544A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710099109.5

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: C30B23/06 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700－900℃，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；2.在400－500℃下，生长1－4nm的MgO层；3.在700－800℃下，退火处理10－30分钟；4.在350－450℃下，生长10－30nm的ZnO过渡层；5.在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；6.在600－700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。

公开(公告)号：CN1325161C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200510011496.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 许韵华 ,  杨玉国 ,  王永生 ,  朱红

IPC: B01J23/74 ,  B01J23/889 ,  C02F1/72

Abstract: 本发明是一种多相催化氧化处理污水用催化剂及其制备方法。催化剂以铁Fe为基本活性组分，锌Zn、铜Cu、钴Co或锰Mn中的一种为辅助活性组分，用沉淀剂共沉淀，于90～110℃空气气氛中干燥5～9h，再于200～500℃空气气氛中进行热处理，即为产品。用本发明催化剂来处理化学需氧量CODcr值为2870mg/L的苯酚模拟废水，处理后CODcr值小于20mg/L，去除率为99.3%。处理焦化废水，其CODcr值可由1000mg/L降至30mg/L以下，远远低于国家排放标准——GB8978-1996要求CODcr＜150mg/L，去除率达97%。

公开(公告)号：CN106811731A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611013938.2

申请日：2016-11-17

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  巩哲 ,  何家琪 ,  王永生

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/305 ,  C23C16/0227

Abstract: 二维二硫化钨是一种类石墨烯的新型二维材料，在电学器件、能源、生物和复合材料等方面有极大的应用潜力。制备二维二硫化钨方法包括机械剥离、电化学锂离子插层法、液相剥离法。水热法以及化学气相沉积法等，其中化学气相沉积法在制备二维二硫化钨时有着尺寸、层数可控，材料结晶质量高等方面的优势。目前CVD法制备二硫化钨的研究较少，已有的报道中制备的二维二硫化钨尺寸只有几十到一百微米，无法达到可控生长的目的。本专利围绕化学气相沉积法，改进生长工艺，使生长过程不再需要真空低压条件，在常压下就可进行，使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的，使实验过程更加简单，实验成本大大降低，并且提高了实验制备的可控性。