公开(公告)号：CN102623543B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210109738.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  胡佐富 ,  刘凤娟 ,  李振军 ,  王永生

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。

公开(公告)号：CN101350312A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810222662.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  赵建伟

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。

公开(公告)号：CN100431101C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200710099109.5

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: H01L21/20 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700-900℃，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；2.在400-500℃下，生长1-4nm的MgO层；3.在700-800℃下，退火处理10-30分钟；4.在350-450℃下，生长10-30nm的ZnO过渡层；5.在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；6.在600-700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。

公开(公告)号：CN101050544A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710099109.5

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: C30B23/06 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700－900℃，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；2.在400－500℃下，生长1－4nm的MgO层；3.在700－800℃下，退火处理10－30分钟；4.在350－450℃下，生长10－30nm的ZnO过渡层；5.在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；6.在600－700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。

公开(公告)号：CN101866983B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201010173492.6

申请日：2010-05-10

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 孙建 ,  张希清 ,  刘凤娟 ,  黄海琴 ,  王永生

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。

公开(公告)号：CN101866983A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010173492.6

申请日：2010-05-10

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 孙建 ,  张希清 ,  刘凤娟 ,  黄海琴 ,  王永生

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。

公开(公告)号：CN100468662C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710099110.8

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700-900℃下，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；步骤2，在400-500℃下，生长厚度为1-4nm的MgO柔性层；步骤3，在700-800℃下，退火处理10-30分钟；步骤4，在350-450℃下，生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；步骤6，在600-700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。

公开(公告)号：CN101055843A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710099110.8

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  姚志刚 ,  王永生

IPC: H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。

公开(公告)号：CN102623543A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210109738.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  胡佐富 ,  刘凤娟 ,  李振军 ,  王永生

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。

公开(公告)号：CN102569483A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110427751.8

申请日：2011-12-19

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  黄海琴 ,  王永生

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。步骤一 将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室；步骤二R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟；步骤三R面蓝宝石衬底传入生长室，在生长温度400-500℃下生长第一层2-10nm厚的MgxZn1-xO过渡层，其中X＝0.16-0.20；接着在相同生长温度下生长第二层2-10nm厚的MgyZn1-yO过渡层，其中Y＝0.26-0.40；步骤四 在生长温度400-500℃下，生长MgZZn1-ZO薄膜，其中Z＝0.43-0.55；步骤五在MgZZn1-ZO薄膜上，制备厚度100-150nm的金属电极，其中金属材料是Al、Au、Pt。制备工艺简单、成本低。