公开(公告)号：CN100536093C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810222662.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  赵建伟

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，氧等离子体处理30-50分钟；步骤3，在400-500℃下生长厚度为1.5-6nm的MgO柔性层；步骤4，在700-850℃下，退火处理10-20分钟；步骤5，在500-600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。

公开(公告)号：CN101350312A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810222662.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  赵建伟

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。