公开(公告)号：CN102623543A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210109738.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  胡佐富 ,  刘凤娟 ,  李振军 ,  王永生

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。

公开(公告)号：CN102623543B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210109738.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  胡佐富 ,  刘凤娟 ,  李振军 ,  王永生

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。

公开(公告)号：CN101350312A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810222662.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  赵建伟

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。

公开(公告)号：CN102569483A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110427751.8

申请日：2011-12-19

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  黄海琴 ,  王永生

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。步骤一 将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室；步骤二R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟；步骤三R面蓝宝石衬底传入生长室，在生长温度400-500℃下生长第一层2-10nm厚的MgxZn1-xO过渡层，其中X＝0.16-0.20；接着在相同生长温度下生长第二层2-10nm厚的MgyZn1-yO过渡层，其中Y＝0.26-0.40；步骤四 在生长温度400-500℃下，生长MgZZn1-ZO薄膜，其中Z＝0.43-0.55；步骤五在MgZZn1-ZO薄膜上，制备厚度100-150nm的金属电极，其中金属材料是Al、Au、Pt。制备工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN100536093C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810222662.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  孙建 ,  黄海琴 ,  刘凤娟 ,  胡佐富 ,  赵建伟

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，氧等离子体处理30-50分钟；步骤3，在400-500℃下生长厚度为1.5-6nm的MgO柔性层；步骤4，在700-850℃下，退火处理10-20分钟；步骤5，在500-600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。