公开(公告)号：CN106835073A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611027687.3

申请日：2016-11-17

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 ,  董艳芳 ,  何家琪 ,  赵思淇 ,  王永生

IPC: C23C16/453 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/453 ,  C23C16/305

Abstract: 目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。如果衬底清洗不干净，二硫化钼就极易长成多层或体材料，彻底清洗衬底,会用到丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品，这些药品对人体有毒害作用，因而操作过程中具有潜在的危险。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。

公开(公告)号：CN107068745A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611206251.0

申请日：2017-03-31

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何家琪 ,  何大伟 ,  张璐 ,  赵思淇 ,  王永生

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L29/66409

Abstract: 范德瓦尔斯异质结以其原子层级界面，突出的机械柔性和极高的化学稳定性等特点将功能型异质结的研究带向了一个新的纪元。它的层间耦合特性使得打破了在选择制备材料时的束缚，并消除了传统材料在制备异质结构时的巨大限制。本发明意在提供一种工艺流程简单，对衬底和不同材料间晶格匹配要求低，不需要进行材料掺杂等工艺，而是利用范德瓦耳斯力将二种不同的二维晶体组成异质结结构，再利用该异质结结构作为导电沟道材料制备场效应晶体管及其制备方法。