公开(公告)号：CN108258055A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810036386.X

申请日：2018-01-15

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李然 ,  张希清 ,  苏金宝 ,  戴仕千 ,  麻尧斌 ,  田龙杰 ,  王琪 ,  王晔

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种锌铟锡氧化物基薄膜晶体管制作方法，制成一种透明薄膜晶体管，该方法包括：衬底与底栅极相接，或与源极和漏极相接，绝缘层与栅极和有源层相接，绝缘层与有源层完全接触，有源层与绝缘层、源极和漏极相接；制备厚度为30～300nm的绝缘层，制备厚度为10～50nm的ZnxInySnzO:(Lia,Nb)有源层，ZnxInySnzO:(Lia,Nb)的靶包括ZnO、In2O3、SnO2、Li2O和Zn2N3，0