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公开(公告)号：CN104011499A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280064366.4
申请日：2012-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 桑原登
CPC classification number: G01B11/0633 , G01B11/06 , G01B11/0625 , G01B2210/56 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种膜厚分布测定方法，该方法执行如下工序：算出量变曲线P1，该量变曲线P1表示测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出量变曲线P21，该量变曲线P21表示具有仅比测定对象的带薄膜晶片的第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；求出P1、P21之差即量变曲线P31成为零时的波长λ1；选择包括所求出的波长λ1的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段；以及，向测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的所选择的波段的反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定第一薄膜的膜厚分布。由此，使用反射光谱法能够以高密度、高精度、且以较短时间测定带两层薄膜晶片的膜厚分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114450778A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080068610.9
申请日：2020-09-16
Abstract: 本发明提供一种晶圆的第二薄膜的膜厚分布的测量方法，该晶圆具有基板、该基板表面上的第一薄膜、以及该第一薄膜上的第二薄膜，在该测量方法中，通过光学显微镜进行对焦而求出焦点的高度Z1，该光学显微镜具有使用了波长λ0的照射光的自动对焦功能，确定用于获得第二薄膜的观察图像的照射光的波长λ1，一边以Z1为基准而使焦点的高度变化，一边使用波长λ1的照射光获得第二薄膜的观察图像，计算观察图像内的反射光强度分布的标准偏差，获得与标准偏差为最大的峰值位置的焦点对应的高度Z2，并计算Z1与Z2的差ΔZ，以ΔZ为修正值进行自动对焦功能的修正，使用经过修正的自动对焦功能进行对焦，获得第二薄膜的观察图像，根据观察图像内的反射光强度分布计算膜厚分布。由此，提供一种能够高精度且稳定地进行膜厚分布的测量的方法。
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公开(公告)号：CN106663597B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201580047351.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。
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公开(公告)号：CN114450778B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080068610.9
申请日：2020-09-16
Abstract: 本发明提供一种晶圆的第二薄膜的膜厚分布的测量方法，该晶圆具有基板、该基板表面上的第一薄膜、以及该第一薄膜上的第二薄膜，在该测量方法中，通过光学显微镜进行对焦而求出焦点的高度Z1，该光学显微镜具有使用了波长λ0的照射光的自动对焦功能，确定用于获得第二薄膜的观察图像的照射光的波长λ1，一边以Z1为基准而使焦点的高度变化，一边使用波长λ1的照射光获得第二薄膜的观察图像，计算观察图像内的反射光强度分布的标准偏差，获得与标准偏差为最大的峰值位置的焦点对应的高度Z2，并计算Z1与Z2的差ΔZ，以ΔZ为修正值进行自动对焦功能的修正，使用经过修正的自动对焦功能进行对焦，获得第二薄膜的观察图像，根据观察图像内的反射光强度分布计算膜厚分布。由此，提供一种能够高精度且稳定地进行膜厚分布的测量的方法。
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公开(公告)号：CN106663597A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580047351.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02 , H01L21/02255 , H01L21/306 , H01L21/31111 , H01L21/68764 , H01L21/76254 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L27/12
Abstract: 一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。
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公开(公告)号：CN104011499B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280064366.4
申请日：2012-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 桑原登
CPC classification number: G01B11/0633 , G01B11/06 , G01B11/0625 , G01B2210/56 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种膜厚分布测定方法，该方法执行如下工序：算出量变曲线P1，该量变曲线P1表示测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出量变曲线P21，该量变曲线P21表示具有仅比测定对象的带薄膜晶片的第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；求出P1、P21之差即量变曲线P31成为零时的波长λ1；选择包括所求出的波长λ1的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段；以及，向测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的所选择的波段的反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定第一薄膜的膜厚分布。由此，使用反射光谱法能够以高密度、高精度、且以较短时间测定带两层薄膜晶片的膜厚分布。
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