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公开(公告)号：CN1161820C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN99111914.2
申请日：1999-07-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/18
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/02425 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法，将原料气体引入放电室中，对该室施加高频功率，通过放电分解原料气体，在室中的衬底上形成半导体层，它包括步骤：提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率；对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率；和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量，使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
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公开(公告)号：CN1097299C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN1163945A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN104765079A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510182125.5
申请日：2012-02-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02B1/118
CPC classification number: G02B1/118 , C23C14/10 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/542 , C23C14/5853 , G02B1/02 , G02B2207/107 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供光学部件和该光学部件的制造方法，该光学部件能够在防止全反射条件下的雾化的同时维持高水平的减反射性。该光学部件包括：依次层叠的基材；中间层；和氧化铝层，该氧化铝层有具有由氧化铝晶体制成的不规则结构的表面。该中间层包括相对于基材表面倾斜的多个柱状结构体，并且在该柱状结构体之间包括空隙。光学部件的制造方法包括：通过倾斜沉积在基材表面上形成包括多个柱状结构体的中间层；和通过在该中间层上涂布含有铝化合物的溶液来形成膜并且对该膜进行热水处理以在该膜表面上形成氧化铝层，该氧化铝层具有由氧化铝晶体制成的不规则结构。
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公开(公告)号：CN1269189C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1384552A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02121842.0
申请日：2002-03-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , H01L31/03685 , H01L31/075 , H01L31/182 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10T428/261
Abstract: 本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其特征是,至少一层硅基膜含微晶,微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其中至少一层硅基膜含微晶,膜中的微晶取向特征按其膜厚方向变化。为了提供价格便宜的有优良性能的硅基膜,本发明提供一种具有优良特性,生产周期缩短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括该硅基膜,有优良附着力和优良的耐环境性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1186347A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN104765079B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510182125.5
申请日：2012-02-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02B1/118
CPC classification number: G02B1/118 , C23C14/10 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/542 , C23C14/5853 , G02B1/02 , G02B2207/107 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供光学部件和该光学部件的制造方法，该光学部件能够在防止全反射条件下的雾化的同时维持高水平的减反射性。该光学部件包括：依次层叠的基材；中间层；和氧化铝层，该氧化铝层有具有由氧化铝晶体制成的不规则结构的表面。该中间层包括相对于基材表面倾斜的多个柱状结构体，并且在该柱状结构体之间包括空隙。光学部件的制造方法包括：通过倾斜沉积在基材表面上形成包括多个柱状结构体的中间层；和通过在该中间层上涂布含有铝化合物的溶液来形成膜并且对该膜进行热水处理以在该膜表面上形成氧化铝层，该氧化铝层具有由氧化铝晶体制成的不规则结构。
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公开(公告)号：CN101553753A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045437.5
申请日：2007-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/1337 , C23C14/24
CPC classification number: G02F1/133734
Abstract: 提供一种液晶光学设备的制造方法，该制造方法包括：配向膜形成步骤，在基板上形成含有硅氧化物的配向膜；以及液晶单元形成步骤，设置一对基板，所述一对基板彼此相对，其间插入有液晶，所述一对基板中的至少一个上面已形成有配向膜。在所述配向膜形成步骤中，用使用含硅的阴极的真空电弧放电产生的等离子束轰击基板的表面，其中基板以一角度倾斜地设置在等离子束的行程上。当等离子束轰击基板表面时，与形成具有柱体结构的膜的等离子束中的等离子体离子相比，以所述角度倾斜地轰击基板时的等离子束中的等离子体离子具有更高的动能或更高的通量密度。
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公开(公告)号：CN1112293A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明用来制造高效和低损耗的光电池，本发明也用连续地卷装进出法在大面积无不均匀现象高速均匀地加工这种光电池。用RF等离子CVD法形成i-型半导体层的顶部电池，用微波等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。用等离子掺杂形成在入射光侧的掺杂层的顶部电池，用RF等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。本发明的任务通过分别与二层或三层串联型光电池的各层相应地设置膜形成室用连续地卷装进出法连续形成半导体叠层来完成。
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